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第四章：沉 积 化学气相沉积 4.1 引 言 本章重点介绍 化学气相沉积CVD（Chemical Vapor Deposition） 原理；CVD低温沉积SiO2薄膜、氮化硅Si3N4薄 膜及多晶硅poly－Si薄膜。 薄膜的概念 薄膜是指在衬底上生长的薄固体物质，在三维 结构中厚度远远小于长和宽。 薄膜特性（也是集成电路对薄膜的要求） 1. 好的台阶覆盖能力 2. 填充高深宽比间隙的能力 3. 好的厚度均匀性 4. 高纯度和高密度 5. 受控制的化学剂量 6. 高度的结构完整性和低的应力 7. 好的电学特性 8. 对衬底材料或下层膜有好的粘附性 好的台阶覆盖能力 填充高深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 均匀性不好给刻蚀带来困难，影响器件良率 高纯度和高密度 纯度高离子沾污小，密度高针孔和空洞少 受控制的化学剂量 例如：用LPCVD法沉积氮化硅其组分为Si3N4（成化学比），用PECVD法沉积氮化硅控制其组分为SiN或SiON 。 高度的结构完整性和低的应力 晶粒尺寸变化→膜的电学和机械特性变化 膜应力大→硅片衬底变形，膜分层、开裂 好的电学特性 介质膜（电绝缘性能、介电常数） 金属膜（电导率、可靠性） 对衬底材料或下层膜好的粘附性 避免分层、开裂 成膜术语 金属层是电路中元器件的互连线。 介质层是硅器件与金属层之间或金属层与金属层的电绝缘层。也称为层间介质ILD（InterLayer Dielectric） 集成电路所需要的各种薄膜 在集成电路制造中，仅有热生长的高温SiO2薄膜远远不够，还需要低温SiO2薄膜、氮化硅Si3N4薄膜、多晶硅poly－Si薄膜以及各种金属薄膜。 集成电路所需要的各种薄膜 0.18微米STI, 硅化钴, 6层金属逻辑器件的各种薄膜 ULSI芯片中的各种金属层 薄膜沉积技术分类 4.2 化学气相沉积原理 化学气相沉积CVD （Chemical Vapor Deposition） 是利用电阻加热、等离子体、光辐射等能源使某些气态物质发生化学反应，生成固态物质并沉积在衬底表面上的工艺过程。 CVD生长过程 CVD生长过程 1. 气体传输至沉积区域：反应气体从反应腔 入口区域到硅片表面的沉积区域 2. 膜先驱物的形成：气相反应导致膜先驱物（将组成膜最初的原子和分子）和副产物 的形成 3. 膜先驱物附着在硅片表面：大量的膜先驱 物输运到硅片表面 4. 膜先驱物粘附：膜先驱物粘附在硅片表面 5. 膜先驱物扩散：膜先驱物向膜生长区域的 表面扩散 6. 表面反应：表面化学反应导致膜沉积和副 产物的生成 7. 副产物从表面移除：移除表面反应的副产 物 8. 副产物从反应腔移除：反应的副产物从沉 积区域随气流流动到反应腔出口并排出 CVD 生长的例子：poly－Si CVD 生长过程 1. SiH4 (气态) → SiH2 (气态) ＋ H2 (气态) －膜先驱物 SiH2形成、并向衬底表面扩散 2. SiH4 (气态) ＋ SiH2 (气态) → Si2H6 (气态) －膜先驱 物吸附、扩散 3. Si2H6 (气态) → 2Si (固态) + 3H2 (气态) －表面反应 成核（Si ）→岛生长→桥联→成膜 Si源气体SiH4高温分解成SiH2做为先驱物吸附到衬底表面上， SiH4 与SiH2反应生成Si2H6也做为一种先驱物， Si2H6高温分解生成Si即成核，然后岛生长→桥联→成膜。H2做为副产物系统排出。 CVD生长简化过程 CVD生长简化过程 影响CVD生长速率的因素 1. 质量传输限制（常压CVD） 2. 表面反应限制（低压CVD） 3. CVD气流动力学 4. CVD反应中的压力 CVD过程中的掺杂（原位掺杂） 1. 生长BPSG（做ILD－1） SiH4 ＋PH3＋B2H6＋O2 → SiO2 ＋P＋B＋H2 P2O5和B2O3的含量分别控制≤4％ 、2～6％ 2. 生长掺磷的Poly－Si SiH4 ＋PH3→ Si＋P＋H2 4.3 化学气相沉积工艺 常压APCVD系统 APCVD工艺 APCVD通常用于沉积SiO2和掺杂的氧化硅 （PSG、BPSG、FSG等），这些薄膜主要用 于层间介质ILD和槽介质填充。 1.用2～10％的SiH4沉积SiO2： SiH4＋O2 →SiO2＋H2 温度：450℃～500℃