激光器与光发射机（第2组）.ppt

激光器与光发射机 光源 半导体激光器(LD)工作原理和基本结构 自发发射和受激发射的特点 F-P谐振腔 半导体激光器的主要特性 分布反馈激光器DFB LD 半导体激光器LD 发光二极管LED 光发射机 调制 光发射机的基本组成 半导体激光器的瞬态性质 激光器控制电路 光源 半导体激光器(LD)工作原理和基本结构 半导体激光器的主要特性 分布反馈激光器 发光二极管(LED) 半导体光源一般性能和应用 半导体激光器(LD)工作原理和基本结构 基本结构包括:工作物质,揩振腔和泵浦源.其中工作物质和泵浦源是实现光的自发发射、受激吸收和受激发射的最基本条件。 自发发射：大量处于高能级的粒子，各自分别发射一列一列频率为?=(E2 -E1) /h的光波，但各列光波之间没有固定的相位关系，可以有不同的偏振方向，沿所有可能的方向传播。各光子彼此无关。 受激发射：处于高能级E2的粒子受到光子能量为?的光照射时，粒子会由于这种入射光的刺激而发射出与入射光一模一样的光子，并跃迁到低能级E1上。有相同的偏振方向和传播方向。 自发发射和受激发射的特点 自发发射的同时总伴有受激发射发生。 在热平衡情况下，自发发射占绝对优势。 当外界给系统提供能量时，如采用光照（即光泵）或电流注入（即电泵），打破热平衡状态，大量粒子处于高能级，即粒子数反转后，在发光束方向上的受激发射比自发发射的强度大几个数量级。 总结激光发射的首要条件： 工作物质（即能实现粒子跃迁的晶体材料，如GaAs和InGaAsP） 外界供给能量?满足粒子数反转（常采用电流注入法） F-P谐振腔 只有增益介质而无光学 反馈装置，便不能形成激光 将已实现粒子数反转分布 的系统置于严格平行的一对 反射镜之间便形成F-P谐振腔。 光在两个反射镜之间往返多 次过程中，得到放大。 半导体激光器的主要特性 发射波长和光谱特性 h?=Eg 式中 ?=c/λ, ?(Hz)和λ=(μm)分别为发射光的频率和波长，c=3×108m/s为光速，h=6.628×10-34J·S为普朗克常数，1ev=1.6×10-19J。得到： λ=hc/Eg=1.24/Eg 转换效率和光功率特性 下图是典型激光器的光功率特性曲线。 当IIth时激光器发出的是自发辐射光；当IIth时，发出的是受激辐射光，光功率随 驱动电流的增加而增加 频率特性 　　　下图示出半导体激光器的直接调制频率特性．弛豫频率fr是调制频率的上限，一般激光器的fr为１～２ＧＨz．在fr在处，数字调制要产生弛豫振荡，模拟调制要产生非线性失真． 温度特性 激光器输出光功率随温度而变化有两个原因:一是激光器的阈值电流Ith随温度升高而增大,二是外微分子量子效率ηd随温度升高而减小.温度升高时, Ith增大, ηd减小,输出光功率明显下降,达到一定温度时,激光器就不激射了. 阈值电流随温度呈指数变化: Ith=I0 exp(T/T0) 分布反馈激光器DFB LD DFB激光器用靠近有源层沿长度方向制作的周期性结构(波纹状)衍射光栅实现光反馈.这种衍射光栅的折射率周期性变化,使光沿有源层分布式反馈,所以叫分布反馈激光器. DFB激光器与F-P激光器相比,有以下优点: 单纵模激光器 谱线窄,波长稳定性好 动态谱线好 线性好 半导体激光器LD 激光器被视为20世纪的三大发明（还有半导体和原子能）之一，特别是半导体激光器LD倍受重视。 光纤通信中最常用的光源是半导体激光器LD和发光二极管LED。 主要差别： 发光二极管输出非相干光； 半导体激光器输出相干光。 半导体激光器的优点：尺寸小，耦合效率高，响应速度快，波长和尺寸与光纤尺寸适配，可直接调制，相干性好。 按结构分类： F-P LD、 DFB LD、 DBR LD、 QW LD、 VCSEL 按波导机制分类：增益导引LD和折射率导引LD 按性能分类：低阈值LD、超高速LD、动态单模LD、大功率LD 发光二极管LED 对于光纤通信系统，如果使用多模光纤且信息比特率在100～200Mb/s以下，同时只要求几十微瓦的输入光功率，那么LED是可选用的最佳光源。 比起半导体激光器，因为LED不需要热稳定和光稳定电路，所以LED的驱动电路相对简单，另外其制作成本低、产量高。 LED的主要工作原理对应光的自发发射过程，因而是一种非相干光源。 LED发射光的谱线较宽、方向性较差，本身的响应速度又较慢，所以只适用于速率较低的通信系统。 在高速、大容量的光纤通信系统中主要采用半导体激光器作光源。 半导体激光器(LD)和发光二极管