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第3章 光源和光发射机 光源可实现从电信号到光信号的转换，是光发射机以及光纤通信系统的核心器件，它的性能直接关系到光纤通信系统的性能和质量指标。本章主要对半导体发光二极管(LED)和半导体激光二极管(LD)这两种光源的工作原理、应用以及相关的调制、驱动和光发射机进行介绍，并给出了它们的技术指标。 3.1 激光二极管 3.1.1工作原理 1. 发光机理 制作LD的材料是半导体晶体。晶体中，原子核外的电子运动轨道因相邻原子的共有化运动要发生不同程度的重叠，在如图3.1.1所示，电子已经不属于某个原子所有，它可以更大范围内甚至在整个晶体中运动，也就是说，原来的能级已经转变成能带。对应于最外层能级所组成的能带称为导带，次外层的能带称为价带，它们之间的间隔内没有电子存在，这个区间称为禁带。 图3.1.1 晶体中的能级 我们在第1章已经说明了LD是基于受激发射的原理工作的，实际上，半导体激光器所发射出的光波长不是单一值。造成这种现象的原因有两个：一是半导体导带和价带都是由许多能级组成的，它们所具备的能量有微小差别；二是半导体的能带结构受掺杂和晶体缺陷影响较大，使得禁带宽度有微小的变化，所以用（1.1.2b）式计算出的波长是有一定的范围的量。在光的受激发射过程中必须保持能量和动量的守恒。禁带形状是与动量有关的，依照禁带的形状，可将半导体分成直接带隙和间接带隙两种，如图3.1.2所示。直接带隙材料中，导带最小能级和价带最大能级有相同的动量，电子是垂直跃迁的，发光效率高，见图（a）；间接带隙材料中，要完成电子的跃迁，必须有其它粒子的参与以保持动量守恒，在图（b）中，说明了能量为Ep、动量为kp粒子的参与过程。只有直接带隙半导体材料才能制作发光器件，这类材料有GaAs、AlGaAs、InP和InGaAsP等。 不同的半导体材料有着不同的禁带宽度，发射光的波长不同。表3.1为常用半导体材料的禁带宽度（带隙）及发光波长。 2. LD结构 激光二极管通常是一个多层条形的结构，见图3.1.3。其中，有源层、限制层和端镜面构成了其结构的基本部分。 有源层和限制层 在图3.1.3中，有源层的材料是P型砷化镓GaAs材料，限制层分别是P型和N型砷化镓铝AlGaAs材料，在它们的界面上分别形成两个PN结，我们把这类由异种半导体相接的结构称为双异质结，图3.1.4（a）画出了双异质结的结构示意图，图（b）是它的能带。 当PN结上加正向电压时，电子就会从N型限制层注入到有源层，同样，空穴会从P型限制层注入到有源层，电子和空穴在此区复合。当外加电压增加到有源层的禁带宽度Eg时，激光器就开始振荡，发出激光。因为限制层的禁带宽度Egn、Egp比有源层的Eg要宽，其导带所处的能量要比有源层的导带高，所以就形成了异质势垒，使注入到有源层的电子、空穴不会跑掉，而被封闭在有源区内，实现了载流子的封闭作用。只要外加很小的电流，注入电子和空穴的浓度就增大，从而提高了增益。另一方面，由于限制层的折射率比有源层低，见图（c），所以形成了一个光波导折射率分布，在有源层内电子和空穴复合而辐射的激光，被封闭在有源层内，见图（d）。 端镜面 激光器两端是端镜面，两者是平行的，同时又是非常平坦光亮的，它可以使有源层产生的光部分逸出，因此端镜面和有源层构成了光的容器。另外，有源层里产生的光不断从两端反射，形成光的振荡。随着电流不断注入，光逐渐被放大并趋于稳定的输出状态。。综上所述不难理解，有源层实质上是一个矩形有源光波导，它与端镜面共同构成了具有频率选择的光波振荡器、放大器和光的储存器。 3. LD阈值条件 粒子数反转、光学谐振腔是激光器获得激光的条件，除此之外，产生激光还必须满足阈值条件。 在激光器工作过程中，光在谐振腔内传播，除了增益介质的光放大作用外，还存在工作物质的吸收、介质不均匀引起的散射、反射镜的非理想性引起的透射及散射等损耗情况，只有光波在谐振腔内往复一次的放大增益大于各种损耗引起的衰减，激光器才能建立起稳定的激光输出。 设增益介质的增益和损耗分别为G和α，谐振腔内光功率随距离z的变化可表示为 （3.1.1） 式中，P(0)为z＝0处的光功率。光束在腔内一个来回时，两次通过增益介质，这时的光增益为 （3.1.2） 式中，L为腔长。设两个镜面的反射系数为rl和r2，建立光振荡的条件为 （3.1.3） 将（3.1.2）式代入（3.1.3）式，可得 也