电子探针分析原理1.ppt

现代分析测试技术 授课教师：冯乔 1982年－1986年：西北大学地质系学习； 1986年－1989年：西北大学硕士研究生，留校； 1995年－1999年：西北大学博士研究生； 2000年～2003年：中科院广州地化所有机地球化学国家重点实验室作博士后； 2003年至今，山科大工作。 研究方向: 油气地质与勘探、油气藏地球化学 电话 E-mail:fengqiao999@126.com 第一章 电子探针分析 第二节 电子探针分析的物理基础 一、电子与固体的相互作用 （一）X射线产生机理 X射线是用于电子探针分析的最主要信息。在描述X射线时，可以用X射线的能量E（KeV）或波长λ(nm)来表示： 式中，h为普朗克常数，c为光速，e为电子电荷。 1、连续X射线(continuum X-ray) 当入射电子轰击样品时，因为受到原子核库仑场的作用而急剧减速，在减速过程中会产生电子能量损失，于是就辐射出X射线，这种辐射作用称为韧致辐射(bremsstrahlung)。 由于在原子核库仑场作用下入射电子的速度变化是连续的，辐射出的X射线的能量也是连续的，可以从0KeV至样品原子的能量，所以称为连续X射线。 因此，当电子束轰击样品时，因为受到原子核库仑场的作用发生韧致辐射而形成的具有连续能量变化的X射线称为连续X射线。 在电子探针分析时，连续X射线表现为背景。 2、特征X射线 由于样品组成元素原子中的电子层受到加速电子的轰击，若入射电子的能量大于元素临界激发能量，就能够把某一轨道上的电子轰击出来而产生空穴，使原子处于激发状态。此时，高能级的外层电子就会向低能级电子层中的空穴跃迁，多余的能量以X射线的形式释放出来。由于不同元素的原子结构不同，电子跃迁的方式不同，因此产生同一线系的X射线的波长（能量）有明显的差别。 因此，由于电子轰击样品，使样品中被打击的微小区域内所含元素的原子激发而产生的能表征元素的X射线，称为元素的特征X射线，在电子探针分析时表现为特征峰。 特征X射线产生机理示意图 原子序数36的元素， 选用强度最大的Kα线； 原子序数36～92的元素， 选用L线； 原子序数82～92的元素，选用M α线。 3、X射线峰/背比 (X-ray peak-to-background ratio) 在光谱分析中，影响检测限的一个重要因素是背景的产生，如在某个特征X射线的波长位置有非特征辐射产生。描述特征X射线强度有以下公式： 式中Ic为特征X射线强度，iB为电子束电流强度，Eo为入射电子能量，Ec为元素激发的临界能量，n为原子核内层系数。 韧致辐射产生的连续X射线强度Icm为： 峰/背比为（P/B）： 假设Ec～EV，则 因此，当E0－EC增加时，峰/背比升高，而检测限降低。 （二）背散射电子 背散射电子亦称为反射电子，广义理解为电子入射到样品表面，从表面散失出来的、与入射电子方向相反，能量范围从0eV到入射一次电子的能量的这部分电子。二次电子也属于背散射电子，但背散射电子具有较高的能量(50eV)，二次电子的能量较低(50eV)。 为表征背散射电子产生的强度，需引入背散射系数η（backscattered coefficient）： 式中，nBSE为背散射电子数，nB为入射电子数，iB为入射电流，iBSE为背散射电流。 1、背散射系数与原子序数之间的关系 研究表明，电子的背散射作用随原子序数增加而增强。统计结果显示背散射系数与原子序数（Z）之间存在良好的相关关系： 如果试样是多元素体系，则总背散射系数ηT可用下式表示： 式中，Ci为元素含量，ηi为元素的背散射系数。 因此，检测背散射系数能够提供有关试样平均原子序数等信息，亦即背散射电子成分成像的原理。 2、背散射系数与样品微形貌之间的关系 Arnal等(1969)给出了背散射系数与样品倾斜角(θ)及原子序数(Z)之间的关系式： 式中ρ=9/Z1/2，θ为电子束与样品表面的夹角。 因此，除了成分信息外，背散射电子还能提供有关样品表面形貌的信息，亦即背散射电子形貌像形成原理。 3、背散射系数与电子束能量之间的关系 当束能5keV时，背散射系数与电子束能量之间的关系复杂；当束能降至1KeV时，轻元素的背散射系数是增加的，而重元素的背散射系数是降低的；对于束能介于4～40KeV时，下列关系式可以反映背散射系数的变化情况。 其中 （三）二次电子 二次电子是指束电子非弹性散射过程中散射出的样品电子，其能量50eV。 由于二次电子能量低(50eV，一般为2～3eV)，只有表面10nm以内的二次电子才有可能逸出而被检测到，因此，二次电子图像有很高的空间分辨率。二次电子系数： 式中，nSE为样