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现代半导体物理 第七章 半导体材料的光学性质 7.1 半导体的光学常数 7.2 反射率和折射率 7.3 半导体中的光吸收 7.1 半导体的光学常数 设半导体材料的折射率为n0，消光系数为k，相对磁导率为ur，相对介电常数为 ,电导率为 。 由于对于光学中所讨论的大多数固体材料ur=1,因此磁导率u=u0。 复折射率n=n0-ik。 光作为一种电磁辐射，当其在不带电的，电导率不等于0的各向同性导电媒质中沿着x方向传播时: 光的传播速度决定于复折射率的实部，为c/n0,其振幅在传播过程中按exp(-wkx/c)的形式衰减，光的强度I则按exp(-2wkx/c)衰减，即： I=I0exp(-2wkx/c) 其中I0为初始光强。 7.2 反射率和折射率 当电磁波照射到介质的界面时,必然发生反射和折射.反射光强与入射光强之比称为反射率.当光从空气垂直入射到复折射率为n=n0-ik的介质表面时，可以得出反射率R为 对于光吸收很弱的的透明材料，k很小，因此反射率为： 此时，可知折射率越大的材料，其对光的反射也越强。 对于金属材料，由于k很大，R接近于1，因此入射光几乎100%地被反射。 在空气-半导体材料的界面上，除了光的反射外，还有光的折射，透射光强与入射光强之比称为透射率。 如果不考虑材料的吸收，那么透射率T与反射率满足： T=1-R （7.4） 假如材料对光的吸收系数为 ,其值等于2wk/c，那么光透过厚度为d的薄膜材料时，透射率与反射率之间有以下的关系： 它的物理意义是光在材料中传播时，强度衰减到原来的1/e时对应的光程的倒数。 如果材料由微粒组成，而且微粒的尺寸与波长可以比拟时，那么微粒散射引起的透射强度下降必须考虑。此时 T=1-R-S （7.6） 其中S表示散射率。一般情况下，散射强度与波长的平方成反比。如果材料内的晶粒足够大，那么散射引起的透射率下降可以忽略。 对于绝缘材料，由于电导率 ，因此消光系数k也趋于0.这说明材料中没有光吸收，即材料是透明的。 在金属和半导体中0，因此或多或少地存在光吸收现象，即光的强度随着透入深度的增加按指数规律衰减，用公式表示就是： 7.3 半导体中的光吸收 半导体材料吸收光子的能量，使电子由能量较低的状态跃迁到能量较高的状态。 半导体的光吸收过程主要有以下几个大类： a）电子在不同能带之间跃迁； b）电子在同一能带的不同状态之间跃迁；c）电子在禁带中的杂质缺陷能级与能带之间跃迁；d）电子在杂质缺陷能级之间跃迁； (e)激子吸收：价带中的电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能离开价带，但因能量不够还不能跃迁到导带成为自由电子。这时，电子实际还与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性系统，称为激子。能产生激子的光吸收称为激子吸收。 (f)声子吸收：声子就是“晶格振动的简正模能量量子”。声子吸收是材料晶格振动所引起的能量吸收 在半导体中，最主要的吸收过程是电子由价带向导带的跃迁所引起的光吸收，即带间吸收或本征吸收。 如在光电导中所提到，这种吸收伴随着电子-空穴对的产生，使半导体的的电导率增加，即产生光电导。 在半导体中，若想引起本征吸收，那么光子能量必须等于或大于禁带宽度，即： 此即本征吸收限。本征吸收限对应的波长称为本征吸收限，或本征吸收边。 吸收强度随光子能量（或波长）的变化曲线成为吸收谱。 一般来说，本征吸收可在吸收谱中明显地表现出来，特别是直接能带材料，由于吸收系数大，吸收强度在对应禁带宽度的地方陡峭地上升。 谢谢！ * * * * 从麦克斯韦电磁场理论的基础方程我们知道，一束频率为w的电磁波在不带电的、均匀的、各向同性的光学介质中传播时，有 禁带宽度与吸收边之间的转换公式为： 因此当频率低于v0或波长大于本征吸收限时不可能产生本征吸收，此时吸收系数急剧下降。 图7.2为厚度为50nm的ZnO薄膜的紫外-可见吸收谱线。课件在波长大于400nm时，吸收很小，但当波长小于380nm时，吸收强度迅速增加，表示本征吸收的开始。 * *