智能仪器设计基础课件第三讲 智能仪器的前向通道.ppt

*/39 第三讲 智能仪器的前向通道 雪崩噪声 存在于反向击穿的PN结，强电场产生的电子空穴对碰撞产生新的电子空穴对，从而形成雪崩击穿 雪崩击穿的电流是由随机分布的噪声尖峰组成 雪崩噪声与散粒噪声类似，需要直流电流流动，但是雪崩噪声比散粒噪声更加剧烈 齐纳二极管噪声闻名遐迩，这是为什么电压基准一般采用能隙电压基准而不采用齐纳二极管基准的原因 3.1.7 运放的噪声（6） 除了雪崩噪声外，晶体管一般含有所有以上噪声，对晶体管噪声机理的理解 能够更好的帮助理解运算放大器的噪声特性 */39 第三讲 智能仪器的前向通道 BJT的噪声 3.1.7 运放的噪声（6） 输入噪声密度 1 2 3 4 5 1 rb产生的热噪声； 2 集电极电流散粒噪声对于输入的影响； 3 基极电流的散粒噪声 基极电流的闪烁噪声 反射到输入端的集电极电流的散粒噪声 4 5 */39 第三讲 智能仪器的前向通道 JFET的噪声 3.1.7 运放的噪声（6） 输入噪声密度 1 2 1 沟道的热噪声； 2 漏极电流的闪烁噪声对输入的影响； JFET在低频和中频下其输入不含电流噪声，但是随着温度的升高以及在高频下电流噪声不能被忽略。 与BJT相比，JFET输入的运放比BJT输入的运放具有更高的电压噪声 */39 第三讲 智能仪器的前向通道 MOSFET的噪声 3.1.7 运放的噪声（6） 输入噪声密度 1 2 3 1 沟道的热噪声； 2 漏电流的闪烁噪声; 3 栅极漏电流的散粒噪声 MOSFET在低频和中频下其输入不含电流噪声，但是随着温度的升高电流噪声不能忽略。 MOSFET输入的运放，其闪烁噪声是主要关注对象，增加晶体管面积可降低该噪声 */39 第三讲 智能仪器的前向通道 运放的噪声模型及其输入噪声密度的计算 3.1.7 运放的噪声（6） 噪声是随机的，en(t)，inp(t)和inn(t)的幅度和方向总是不断变化的； 噪声必须以RMS的形式而不是以代数的形式相加； 总RMS输出噪声Eno被折算到输入端与信号进行比较来确定信噪比SNR以及电路的分辨率。 电阻反馈运放电路 电路的噪声模型 采用叠加定理计算噪声密度，噪声电压和电流源视为独立源 叠加采用RMS相加 计算换算到运放输入端的总频谱密度 */39 第三讲 智能仪器的前向通道 运放的输出噪声密度的计算（1） 3.1.7 运放的噪声（6） 输入电压噪声的输出模型 A(jf)为传输增益 输入电流噪声的输出模型 Z(jf)为传输阻抗 如果输入信号为电压信号，则输入噪声以电压噪声的形式叠加在输入信号中被放大 如果输入信号为电流信号，则输入噪声以电流噪声的形式叠加在输入信号中被放大 噪声增益并不一定等于信号增益，但是为了简单起见往往等同处理； 输出噪声的计算公式： 噪声密度 总输出RMS噪声 */39 第三讲 智能仪器的前向通道 运放的输出噪声密度的计算（2） 3.1.7 运放的噪声（6） 一阶滤波器就像理想滤波器那样可以让白噪声通过，但截止频率是原来的1.57倍； 这个0.57倍的频率扩展是计及了大于f0的传输噪声； 带频率补偿的运放开环响应是一阶函数，故该结论对于运放也是成立的； 放大器对白噪声的截止频率等于0.57 fb 举例1： 等效噪声带宽(NEB) 举例2： 已知： （1）电压白噪声和电流白噪声的频谱密度为enw,innw和inpw （2）运放的单位增益频率为ft 计算： 在有效时间Tobs内总有效值输出噪声（fL=1/ Tobs , fH=∞） */39 第三讲 智能仪器的前向通道 3.1.7 运放的噪声（6） 总输入噪声密度： 电压噪声密度： 电流噪声密度： 总有效值输出噪声： 运放的闭环带宽： 输出噪声电压： */39 第三讲 智能仪器的前向通道 3.1.7 运放的噪声（6） 运放电路的低噪声设计 选择具有低噪声电平enw和inw以及低转角频率fce和fci的运算放大器； 保持外部电阻足够小，以使电流噪声和热噪声与电压噪声相比可以忽略； 把噪声增益带宽严格限制在要求的最小值上。 高频噪声抑制-低通 噪声带宽限制-带通 高频噪声抑制-低通 频率补偿，提高稳定性 前向通道的R */39 商用运放的种类和特点（1） 通用运放 普通低成本场合应用 失调电压和电流指标一般 典型产品：LM324: 输入失调电压：5mV 输入偏置电流：20nA 输入失调电流：2nA CMRR: 80dB 电源范围：3-30V （单），+/-1.5-15V（双） */39 商用运放的种类和特点（2） 精密运放 要求较精密测量场合应用 失调电压和电流指标较高 典型产品：OP07 输入失调电压：0.15mV 输入偏置电流：12nA 输入失调电流：6nA CMRR: 110dB 电源范围：+