电力电子作业22章 《电力电子技术》课件.pptVIP

* 作业：P.42( 2. 3. 4. 8) 习 题 一(P.42) 2.答:其导通的条件是:(1)其阳极和阴极间加正向阳极电压; (2)其门极和阴极间加适当的正向脉冲电压和电流。 3.答 :维持晶闸管导通的条件是α1+α2≈1;欲使晶闸管由导通变为关断,只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下,可采用阳极电压反向,减小阳极电压或増大回路阻抗等方式。 4.答: 7.答:GTO的容量大,工作频率一般在1KHz以下,属于电流控制型器件,所需驱动功率较大,尤其是其关断门极电流很大。GTR的容量中等,工作频率一般在10KHz以下,属于电流控制型器件,所需驱动功率较大。MOSFET器件容量小,工作频率最高，可达一般在100KHz以上,属于电压控制型器件,所需驱动功率最小,但其通态压降大，开通损耗大较大。IGBT的容量和GTR的容量属于同一等级，但属于电压控制型器件,所需驱动功率小,工作频率高，有取代GTR之势。 *