第3章 3.1 通信用光器件 光纤通信教学课件.ppt

3.1 光源 DH激光器工作原理 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向 偏压后， P层的空穴和N层的电子注入有源层。 P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对 注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不 可能扩散到P层。 同理， 注入到有源层的空穴也不可能扩 散到N层。 这样，注入到有源层的电子和空穴被限 制在厚0.1~0.3 μm的有源层内形成粒子数反 转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使 电子和空穴浓度增大而提高效益。 另一方面，有源层的折射率比限制层高， 产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转 换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小 的散热体就可以在室温连续工作。  LED的P__I特性曲线 (3) 输出光功率特性。 发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数，一般外微分量子效率ηd小于10%。两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图3.16。 驱动电流I较小时， P - I曲线的线性较好；I过大时，由于PN结发热产生饱和现象，使P -I 曲线的斜率减小。 4 3 2 1 0 50 100 150 0℃ 25℃ 70℃ 电流/mA 输出功率/ mW (4) 频率特性。 发光二极管的频率响应可以表示为 |H(f)|= (3.12) 式中，f 为调制频率，P( f )为对应于调制频率 f 的输出光功率，τe为少数载流子(电子)的寿命。定义 fc 为发光二极管的截止频率，当 f = f c =1/(2πτe)时，|H(fc)|= ， 最高调制频率应低于截止频率。  图3.17示出发光二极管的频率响应， 图中显示出少数载流子的寿命τe和截止频率 fc 的关系。 对有源区为低掺杂浓度的LED， 适当增加工作电流可以缩短载流子寿命，提高截止频率。 图 3.6 DH激光器工作原理 (a) 双异质结构； (b) 能带； (c) 折射率分布； (d) 光功率分布 返回主目录 3.1.2 半导体激光器的主要特性 1. 发射波长和光谱特性 半导体激光器的发射波长等于禁带宽度Eg(eV)，由式(3.1)得到 h f =Eg 式中,f=c/λ,f (Hz)和λ(μm)分别为发射光的频率和波长,c=3×108 m/s为光速, h=6.628×10-34J·S为普朗克常数， 1eV=1.6×10-19 J，代入上式得到 (3.6) 不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长λ。 镓铝砷-镓砷(GaAlAs-GaAs)材料适用于0.85 μm波段 铟镓砷磷 - 铟磷(InGaAsP-InP)材料适用于1.3~1.55 μm波段 图3.7是GaAlAs-DH激光器的光谱特性。 在直流驱动下， 发射光波长只有符合激光振荡的相位条件式(3.5)的波长存在。 这些波长取决于激光器纵向长度L，并称为激光器的纵模。 驱动电流变大，纵模模数变小 ，谱线宽度变窄。 这种变化是由于谐振腔对光波频率和方 向的选择，使边模消失、主模增益增加而产生的。 当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光器称为静态单纵模激光器。 图3.7(b)是300 Mb/s数字调制的光谱特性， 由图可见，随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。 图 3.7 GaAlAs-DH激光器的光谱特性 (a) 直流驱动; (b) 300 Mb/s数字调制 0 799 800 801 802 Im/mA 40 35 30 25 I=100mA Po=10mW I=85mA Po=6mW I= 8 0mA Po=4mW I=75mA Po=2.3mW L=250μm W=12 μm T=300K 830 828 832 830 828 832 830 828