2007同济大学电科课件 半导体与量子力学 载流子统计分布.pptVIP

第四讲 平衡态半导体中载流子统计分布 统计分布概念 状态函数密度 费米能级和载流子统计分布 导带电子和价带空穴密度 本征半导体载流子浓度 杂质半导体的载流子浓度 一般情况下的载流子密度 简并半导体 1. 统计分布概念 物理统计的意义 量子统计概念与规律 粒子在可能量子态上的分布遵循一定的规律 Maxwell-Boltzmann 统计规律：认为粒子间可区分，同一能量上粒子数不限定。 对称性粒子遵守Bose-Einstein统计：光子，介子等，同一状态上粒子数不限定。 反对称粒子遵守Fermi－Dirac统计：电子，质子，中子等，同一状态上只能有一个粒子存在。 2.状态函数密度 半导体中载流子产生及热平衡 热激发产生载流子： 电子从价带跃迁到导带 杂质电离产生导电电子或空穴 反过程：电子和空穴减少－载流子复合 两过程达到动态平衡－平衡态 本章内容： 探讨平衡态半导体中载流子密度的变化规律：量子态随能量分布；电子在能量量子态上的分布；及其随温度变化。 K空间量子态及状态密度 K空间量子态分 1.????? K空间量子态：在体积 为半导体中， ， i=x, y, z; n为整数 ＝（kx,ky,kz)任一组值代表一量子态； 一个量子态占据k空间的体积： 考虑自旋，每一个k态代表两个量子态，在k空间中占据体积为： 3. 费米能级和载流子统计分布 费米Fermi统计分布 在热平衡状态下，电子按能量大小具有一定的统计分布规律性．根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计规律。对于能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率为： f(E)是电子的费米分布函数; EF称为费米能级或费米能量，它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。 —定温度下，只要知道EF的数值，电子在各量子态上的统计分布就完全确定。费米能级是系统的化学势 : 波尔兹曼Boltzman统计分布 Fermi 和Boltzman 分布区别 导带中的电子和价带中空穴的浓度 处理方法：和计算状态密度时一样，认为能带中的能是连续分布的。 电子占据能量为E的量子态的几率是f(E)、则dE间有gc(E) f(E) dE个电子。从导带底到导带顶对行积分，就得到了能带中的电子总数．再除以半导体体积，就得到了导带中的电子浓度。 热平衡非简并半导体导带中电子浓度可计算如下： dE范围内电子数： dE范围内单位体积电子数： 导带中的电子密度： 价带中的空穴密度： 价带有效状态密度 ? 半导体中载流子密度积 电子和空穴的浓度乘积和费米能级无关; 对一定的半导体材料，乘积只决定于温度T，与所含杂质无关。一定的半导体材料，在一定的温度下，乘积一定; 在一定温度下，对不同的半导体材料，因禁带宽度不同，乘积也将不同。这个关系式不论是本征半导体还是杂质半导体，只要是热平衡状态下的非简并半导体，都普遍适用; 确定系统费米能级EF，在一定温度下，半导体导带中电子浓度、价带中空穴浓度就可以计算出来。 * 状态密度 能带中的态数量巨大，能带的能量看成准连续。在E~E＋dE范围内有dZ＝g(E)dE个能态，考虑等能面为球面，导带底能量态：ｋ空间量子态密度为2V，能量空间dE范围相应对ｋ空间体积为4k2dk，则态密度： 导带中能态密度：同样，价带态密度为： 费米能级EF的特点： T=0时，EEF, f(E)=1,能级被填满 EEF, f(E)=0，能级为空 T0时, EEF, f(E)1/2，能级大部分被填充 EEF, f(E)1/2，能级大部分为空 E=EF, f(E)=1/2，能级一半填充 导带中的所有量子态来说，被电子占据的几率一般满足f(E)1，电子分布规律可不必考虑泡利不相容原理 , E-EFk0T, 则 同样，半导体价带中的所有量子态来说，被空穴占据的几率，一般都满足1－f(E)1。故价带中空穴服从空穴的被耳兹曼分布函数。 服从玻耳兹曼统计律的电子系统称非简并性系统．而服从费米统计律的电子系统称为简并性系统 其中：，称为导带有效状态密度。 能带、函数