X-射线光电子能谱PPT.ppt

荷电的校准 在实际的XPS分析中，一般采用内标法进行校准。通常有金内标法和碳内标法； 最常用的方法是用真空系统中最常见的有机污染碳的C 1s的结合能为284.6 eV，进行校准。 也可以利用检测材料中已知状态元素的结合能进行校准。 样品的制备 XPS图谱 用公式BE始=1486.6-KE始-? ?是一个常数值，即荷电位移(?) 5.3 eV BE=BE始-步长*(i-1) (X轴) BE=1486.6-952.6-5.3-0.05*(i-1) 脉冲 Y轴 XPS图谱 284.8, 286.2, 287.3 eV, which are corresponding to C-C, C-S, and C-O of PEDOT XPS图谱 XPS图谱 XPS图谱 XPS图谱 XPS图谱 XPS图谱 XPS定性分析依据 XPS产生的光电子的结合能仅与元素种类以及所激发的原子轨道有关。特定元素的特定轨道产生的光电子能量是固定的，依据其结合能就可以标定元素；相近原子序数的元素激发出的光电子的结合能有较大的差异，因此相邻元素间的干扰作用很小. 从理论上，可以分析除H，He以外的所有元素，并且是一次全分析，范围非常广。 五、XPS定性分析 XPS的定性分析 XPS的定性分析 精确测定元素内层电子结合能是鉴定元素化学组成与化学状态的主要方法，但是在实际样品分析时，有时会遇到含量少的某种元素的主峰与含量多的另一元素的较强峰位置接近或相同，至使两峰重叠，给样品中含量较少的组分鉴定造成困难。 例如，Pt4f与Al2p，Ru3d与C1s等，这种情况下，可利用自旋-轨道双线间距和相对强度来进行元素定性。 XPS的定性分析 由于电子的轨道运动和自旋之间的相互作用，原子内层能级发生分裂，在光电子能谱图上记录到的p、d、f 等光电子谱线均呈双重线。其间距随原子序数的增大而增加，对于同一元素，自旋-轨道偶合双重线的化学位移是非常一致的，间距变化很少超过0.2 eV. 通常情况下，自旋-轨道双重线间的相对强度比 Ir=[2(l+1/2)+1] / [2(l-1/2)+1] p3/2/p1/2=2:1 d5/2/d3/2=3:2 f7/2/f5/2=4:3 XPS的定性分析 Spin-orbital splitting XPS的定性分析 2p3/2-2p1/2= 5.75 2p3/2-2p1/2= 5.7 Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离 2p3/2 2p3/2 2p1/2 2p1/2 伴峰及其鉴别 在XPS谱图中，除了光电子谱峰(主峰)外，还有一些伴峰。 最常见的伴峰包括携上峰，X射线激发俄歇峰（XAES）。这些伴峰一般不太常用，但在不少体系中可以用来鉴定化学价态，研究成键形式和电子结构，是XPS常规分析的一种重要补充。 XPS的定性分析 XPS的定性分析 在光电离后，由于内层电子的发射引起价电子从已占有轨道向较高的未占轨道的跃迁，这个跃迁过程就被称为携上过程。在XPS主峰的高结合能端出现的能量损失峰即为携上峰。 携上峰是一种比较普遍的现象，特别是对于共轭体系会产生较多的携上峰。在有机体系中，携上峰一般由?-?*跃迁所产生，也即由价电子从最高占有轨道(HOMO)向最低未占轨道(LUMO)的跃迁所产生。 某些过渡金属和稀土金属，由于在3d轨道或4f轨道中有未成对电子，也常常表现出很强的携上效应。 携上峰 (Shake-up) XPS的定性分析 XPS的定性分析 俄歇(Auger)峰 光致电离留下的激发态离子(Ａ+ )是不稳定的，在退激发过程中，外层电子由高能级填补到低能级时，所释放的能量不以光辐射的形式出现，而是用于激发原子或分子本身另一个轨道电子，并使之电离。此电子称为俄歇电子。 此过程可表示为:Ａ+ →Ａ2++ｅ-(Auger电子)，俄歇电子的动能与入射光子的能量无关，它的值由俄歇过程的初态Ａ+ 和终态Ａ2+所决定。 特点: 1) 与激发源能量无关 2) 以谱线群形式出现 h? X射线光电子 h? Auger电子 XPS的定性分析 XPS的定性分析 XPS定性分析方法 宽扫描: 最常用的分析方法，一般利用XPS谱仪的宽扫描(0-1100eV)程序, 以便鉴别样品中存在的元素。为了提高定性分析的灵敏度，一般应加大通能，提高信噪比 在分析谱图时，首先必须考虑的是消除荷电位移。对于金属和半导体样品几乎不会荷电，因此不用校准。但对于绝缘样品，则必须进行校准。因为，当荷电较大时，会导致结合能位置有较大的偏移，导致