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模拟电子技术-第3章-场效应管及其基本电路PPT
第3章场效应晶体管及其放大电路 ;3.1.3 场效应管的参数;3.2.2 场效应管偏置电路;第3章场效应晶体管及其放大电路 ;场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的漂移运动形成电流。;N;(b) UGS负压增大，沟道变窄;(c) UGS负压进一步增大，沟道夹断;D;由于夹断点与源极间的沟道长度略有缩短，呈现的沟道电阻值也就略有减小，且夹断点与源极间的电压不变。;沟道夹断;三、特性曲线;图3.1.4 (a) JFET的输出特性曲线;图3.1.4 (a) JFET的输出特性曲线;2.转移特性曲线;u;3.1.2 绝缘栅场效应管(IGFET);MOSFET;一、N沟道增强型MOSFET (Enhancement NMOSFET);图3.1.5 MOSFET结构示意图(b)剖面图;UGS=0，导电沟道未形成;B;B; uDS增大，沟道预夹断前情况;图3.1.8 uDS增大，沟道预夹断时情况; uDS增大，沟道预夹断后情况; 图3.1.9N沟增强型MOSFET的输出特性曲线 ; 图3.1.9N沟增强型MOSFET的输出特性曲线 ;u;二、N沟道耗尽型 MOSFET(Depletion NMOSFET);???3.1.10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)电路符号;(;3.1.3 场效应管的参数; 二、极限参数;三、交流参数;2.输出电阻rds ;D;D;JFET：利用栅源电压（ 输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。;i;N沟道：;;四、场效应管工作状态的判断方法;R;而;3.2.2 场效应管偏置电路; 图3.2.3场效应管偏置电路;一、自偏置电路;解析法：由电流方程及栅源直流负载线方程联立求解;图3.2.4 (b)图解法求分压偏置电路直流工作点;R; 若输入为正弦量，上式可改写为;r;3.3.2共源放大器;图3.3.2 (b)共源放大器电路低频小信号等效电路;u;图3.3.2 (b)含有源极电阻的共源放大电路的等效电路;C;图3.3.4 (b)共漏电路等效电路 ;U;2.输入电阻 ; 3. 输出电阻Ro;U;表 3.3.1 场效应管三种组态放大电路性能比较;作 业;;使用FET的几点注意事项;BJT与FET之比较;0;2N1711 NPN BJT输出I-V 特性曲线
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