第9章节 气、湿敏传感器.ppt

　　实际生活中，许多与湿度有关的现象，例如水分蒸发的快慢，人体的自我感觉，植物的枯萎等，并不直接与空气中的水汽分压有关，而是和空气中水汽分压与同温度下水的饱和水汽压之间的差值有关。例如，如果这一差值过小，人就会感觉空气过于潮湿；差值过大，又会觉得干燥。为此，就引入另一个表征湿度的物理量——相对湿度。 　　相对湿度定义为待测空气的水汽分压与相同温度下水的饱和水汽压比值的百分数。这是一个无量纲量，常表示为％RH（RH为相对湿度Relative Humidity的缩写），亦即 （9.18） 2． 湿度传感器的分类 表9.16 新型湿度传感器分类 9.5.2　半导体陶瓷湿度传感器 　　1．MgCr2O4－TiO2湿度传感器的结构 　　金属氧化物陶瓷中，由MgCr2O4－TiO2固溶体制成的多孔性半导体陶瓷湿敏材料的表面电阻率能在很宽的范围内随着湿度变化，而且即使在高温条件下，对其进行多次反复的热清洗， 性能仍不易改变。 图 9.49 MgCr2O4－TiO2 半导体陶瓷湿敏器件的结构示意图 　　 MgCr2O4－TiO2半导体陶瓷湿度传感器的结构如图9.49所示。在4 mm×5 mm×0.3 mm的MgCr2O4－TiO2陶瓷片的两面， 设计有多孔金电极，并用掺金玻璃粉将引出线与金电极烧结在一起。在半导体陶瓷片的外面，设置一个用镍铬丝烧制而成的加热清洗线圈，以便对器件能够经常加热清洗，排除有害气氛对器件的污染。器件安装在一个高度致密的、疏水性的陶瓷基片上。为了消除底座上测量电极2和3之间由于吸湿和污染引起的漏电，在电极2和3的周围设置了金短路环。 图中1和4为加热器的引出线。 　　 MgCr2O4－TiO2半导体湿度传感器由P型半导体MgCr2O4和N型半导体TiO2两种材料烧结而成，它是一种机械混合的复合型半导体陶瓷。烧制成的MgCr2O4－TiO2陶瓷是多孔性结构，有大量的粒间气孔。平均气孔直径大多在1000～3000范围内。粒间气孔与颗粒大小有关，是一种相当于毛细管的开气孔，很容易吸附水汽，而且还能抗热冲击。这种陶瓷的电阻率和温度特性与原材料的配方有着密切的关系。将这两种导电类型相反的半导体材料按适当的配比混合烧结，就可以得到电阻率较低、 电阻率温度系数很小的复合型半导体湿敏材料（见图9.50）。 图 9.50 MgCr2O4－TiO2陶瓷材料的湿度特性 　　2．MgCr2O４－TiO2湿度传感器的性能 　　 MgCr2O４－TiO2半导体湿度传感器的感湿特性曲线如图9.51所示。可以看出，器件阻值与环境相对湿度之间呈较理想的指数函数关系， 即 R＝R0exp（A·RH） （9.19） 式中：A是材料的有关常数。在环境湿度1～100％ RH的范围内， 器件阻值的变化为104～108 Ω。在相同湿度情况下，随着温度的提高，器件阻值降低。图9.52是这种传感器的响应特性曲线。 图 9.51 湿度传感器的感湿特性曲线 图 9.52 湿度传感器的响应特性曲线 　　湿度传感器往往工作在较恶劣的环境气氛中。环境中的粉尘、油污以及各种有害气体在感湿体表面的吸附将会造成有效感湿面积的减少、感湿性能的退化以及传感器精度的下降, 所以在使用过程中要通过对感湿体加热的方法清洗表面,以恢复其对水汽的吸附能力。 表9.17 MgCr2O4－TiO2湿度传感器性能指标 3．半导体陶瓷湿敏传感器的感湿机理 　　1） 半导体感湿陶瓷的电子过程 　　在半导体表面，由于自身晶体周期性结构的中断，因而形成不同于体内的能量状态。以离子键结合构成的金属氧化物半导体表面上的正负离子由于失去异性离子的屏蔽，它们的电子亲和能将不同于体内。对于表面处的正离子，由于少了一侧负离子的近邻，所以电子亲和能将大于体内正离子的电子亲和能；相反，表面处负离子的电子亲和能将小于体内。这样，表面正离子将在略低于导带底处形成受主表面态能级；表面负离子将在略高于价带顶处形成施主表面态能级。这两种成对出现的表面态能级就是所谓的“本征表面态”。 　　对于P型金属氧化物半导体，由于表面施主态俘获表面层中的载流子－空穴，使表面层中的空穴耗尽，形成载流子势垒，所以表面层电阻率高于体内电阻率。金属氧化物半导体湿敏陶瓷是多晶结构，在晶粒间界处会形成大量的载流子势垒， 所以电阻率比单晶体半导体高很多。 　　（2） 对于稀薄空燃比控制系统，极限电流型氧传感器的输出信号灵敏度比其它类型氧传感器高。氧化物半导体氧传感器和浓差电池型氧传感器的灵敏度较低，尤其在A/F20的情况下。  　　薄膜和厚膜型传感器比其它类型传感器价格便宜，性能优异（输出线性、工作温度、A/F范围等），但薄膜型传感器的使用寿命还是有待解决的问题。  　　（3） 没有一种氧传感器可以适用于