第三章 场效应管放大电路 模拟电子技术教学课件.pptVIP

3.1 绝缘栅型场效应管 3.2 场效应管放大电路 第三章 场效应管及其放大电路 第三章 场效应管放大电路 内容： 1.介绍场效应管的结构、工作原理、伏安特性及主要参数。 2.介绍基本放大电路。 教学基本要求： 1.了解场效应管的基本结构，熟练掌握场效应管的伏安特性及主要参数。 2.掌握场效应管与双极型三极管的相同点和不同点。 3. 理解放大电路的工作原理及放大电路的分析方法。 一、场效应管的分类 场效应管 (FET) 增强型 绝缘栅型 (MOSFET) N 沟道P 沟道 结 型 (JFET) N 沟道P 沟道 耗尽型 N 沟道P 沟道 耗尽型 概 述 场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。 二、MOSFET与JFET的主要区别 JFET：利用外加电场来控制半导体内的电场效应。 通过改变PN结耗尽层的宽度，改变导电沟道的宽窄来控制输出电流。 MOSFET：利用外加电场来控制半导体表面的电场效应。通过改变感生沟道的宽窄来控制输出电流。 耗尽型与增强型的主要区别 耗尽型：场效应管没有外加栅极电压时，已存在导电沟道。 增强型：场效应管在外加栅极电压超过一定时，才有导电沟道。 三、场效应管与三极管的相同点和不同点 场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。 * 三极管利用多数载流子和少数载流子工作，起着导电作用，属于双极型器件。 * 场效应管只利用多数载流子的工作，起着导电作用，属于单极型器件。 通过本章节的分析讨论，了解并掌握场效应管的控制特性、基本放大电路及电路特点。 1. 基本结构 图3.1.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 (a) 基本结构 (b)表示符号 3.1.1 N 沟道增强型绝缘场效应管 3.1 绝缘栅型场效应管 D B G S (b) 分析：主要讨论 uGS对iD 的控制作用。 (1)导电沟道的建立 图3.1.2 N沟道增强型导MOS管导电沟道的建立 2. 工作原理 3.1.1 N 沟道增强型绝缘场效应管 (2) uDS对iD的影响 图3.1.3 uDS对导电沟道和iD的影响 (a) uDS较小 (b) uDS=uGS-UT (c) uDSuGS-UT 3.1.1 N 沟道增强型绝缘场效应管 2. 工作原理 uGD=uGS - uDS 当uDS↑→uGD=uGS-uDS=UT (3) uGS对iD的控制作用 MOS管在正常工作情况下，uDS、UT是确定的， 式中：IDO为uGS = 2UT时的iD值 在满足上式的情况下，只要改变uGS的值，就有一个确定的iD与之对应，从而实现uGS对iD的控制。故称MOS管为电压控制元件。 且：uDS uGS -UT 3.1.1 N 沟道增强型绝缘场效应管 2. 工作原理 3. 特性曲线 (1) 转移特性 表述：当漏源电压uDS为某一固定值时，栅源电压uGS和漏极电流iD之间的关系曲线，称为转移特性。也就是栅源电压uGS 对漏极电流iD 的控制特性 。 表达式： (a)转移特性 图3.1.4(a) N沟道增强型 绝缘栅场效应管 的特性曲线 3. 特性曲线 (2) 输出特性 表述：当栅源电压uGS 一定的情况下，漏极电流iD与漏源电压uDS之间的关系曲线，称为输出特性。 表达式： (b) 输出特性 图3.1.4 (b) N沟道增强型 绝缘栅场效应管 的特性曲线 Ⅲ区 Ⅰ区 Ⅱ区 Ⅳ区 1. 基本结构 图3.1.5是N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构示意图。制造时在二氧化硅绝缘层中渗入大量的正离子，在它的作用下，即使uGS =0 时，在两个N型区之间形成原始N型导电沟道。 图3.1.5 N沟道耗尽型 绝缘栅场效应管 (a)结构示意图 (b) 表示符号 3.1.2 N 沟道耗尽型绝缘场效应管 2. 工作原理 分析：在uDS 为常数， 1) 当uGS =0 时，漏源极间已导通， iD≠0 ； 2) uGS＞0 时，沟道变宽，iD ↑； 3) uGS＜0 时，沟道变窄，iD↓； 4) 当uGS 达到一定负值时，沟道被夹断， iD≈0 ； MOS管截止， uGS = UP 值称为夹断电压 3.1.2 N 沟道耗尽型绝缘场效应管 3. 特性曲线 图3.1.6 N沟道耗尽型绝缘栅场效 应管的转移特性和输出特性