激光分子束外延工艺用ZnO陶瓷靶材的研究.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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激光分子束外延工艺用ZnO陶瓷靶材的研究.pdf

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第33卷第3期硅酸盐学报 V01．33，No．3 2 OO THECHINESECERAMICSOCIETY March。2005 5年3月 JOURNAI．0F 激光分子束外延工艺用Zno陶瓷靶材的研究 ’贺永宁，朱长纯，候洵，杨晓东 (西安交通大学电信学院电子系，西安 710049) 摘要：由改进的电子陶瓷工艺制备了zno(99．99％)高纯陶瓷靶材。用激光分子束外延(1aser 这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的znO半导体光电子薄膜。研究了znO高纯陶瓷靶材的烧结机理、微观结构及形貌，认为靶材的后期烧结速率主要决定于氧空位扩散机制。根据辐照后靶材的电镜分析结果，对L-MBE工艺中靶材表面与脉冲激光相互作用过程中等离子体羽辉的形成过程及其动力学特征进行了研究，认为该等离子体羽辉是激光支持的燃烧波，其波前传播速度为亚声速并且沿靶材法线方向，粒子的动力学特征使得LMBE工艺适于znO薄膜的二维平面生长。关键词：氧化锌陶瓷靶材；激光分子束外延；脉冲激光辐照效应中图分类号：TB34文献标识码：A 文章编号：0454—5648(2005)03一0299一05 IN BEAMEPITAXY STUDYoFZnoCERAMICTARGETSUSEDLASERMOLECULAR HE X“咒，yANG Yr0行g灯i行g，ZHUC^彻g西“押，HOU Xi以odo咒g ofElectronicScienceand ofE1ectronicandInformation，Xi’an (Department Technology，School JiaotongUniversity，Xi’an710049，China) H zincoxidethinfilmswere on substratewithlower lasermo一 Abstract： crystalline grownsapphire temperatureby ighquality 1ecularbeam and a sinteredZn0ceramicas TheZnoceramic with of epitaxy(L—MBE)using target． targetshighpurity 99．99％werefabricatedthemodifiedelectronicceramic in wasablatedKrF through processcleaninglaboratory．Thetarget by film a wurtzite laser inanultra vacuumto ZnOthin onthe substrate．The shows pulses high deposit sapphire target polycrystal structurewhiletheZnothinfilmshows f—axisorientedwurtzite structure The highly crystal byX—ray出ffractionpatterns．