溅射工艺对BST薄膜取向行为的影响.pdfVIP

李颂战等：溅射工艺对BST薄膜取向行为的影响 溅射工艺对BST薄膜取向行为的影响。 李颂战，杨艳芹，王水兵，刘文琮 (武汉科技学院电子信息工程学院，武汉湖北430073) 摘 要： 采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上沉积 2 实 验 了Ba065Sro．35TiO。薄膜。借助XRD、AFM和SEM研 究了衬底温度、退火温度、溅射气压等不同的溅射参数 2．1样品制备 对Ba。．。。Sr03。Tio。薄膜的晶化行为和显微结构的影 响。在室温下沉积并未经退火处理的Ba。．65Sro．。5TiO。 薄膜是无定形态，在较高温度下沉积的薄膜晶化相对 较好；随着在氧气气氛中退火温度的升高，X射线衍射 传统的陶瓷工艺烧结制成。在溅射过程中靶基距保持 峰的半峰宽变窄，衍射峰强度增强；在O．37～1．2Pa气一固定值，溅射气氛为Ar、O。混合气体，溅射功率为 120W，采用机械泵、涡轮分子泵两级泵系统获得 压下沉积的Ba065Sro．35Ti03薄膜有(110)和(200)主 衍射峰，且其强度随溅射气压的增加而增强；当溅射气 l×10q 压继续升到3．9Pa，(110)和(200)衍射峰明显增强，说 明Ba¨5Sro．35Ti03薄膜具有(110)+(200)择优取向。 AFM和SEM结果显示薄膜晶粒细小均匀、结构致条件下氧气氛围中退火。 密、表面乎整，且无裂纹、无孔洞。分析结果显示优化 2．2性能测试 工艺参数削备的Ba06。Sro．：}5Ti0。薄膜是用以制备非致X射线衍射仪(XRD；Rigakn 冷红外探测器的优质材料。 关键词： 溅射工艺；BST薄膜；晶化；取向 子力显微镜(AFM；Digital 中图分类号： 0484．1；0766 文献标识码：A IIIA)研究了薄膜的表面形貌。采用场发射扫描电镜 文章编号：1001—9731(2007)06一0921一03(FESEM；JOEL，JSM 断面结构、形貌。 1 引 言 3结果与讨论 Ba；Sr。一。TiO。(BST)具有优良的介电性能，如高 的介电常数、低的介电损耗、低的漏电流、高的介电击 3．1温度影响分析 穿强度等。此外，可通过调整BST的Ba／Sr组分对其 BST薄膜的XRD图。 特性[1“]进行控制，因此BST薄膜是被用作非致冷红 外焦平面阵列敏感元件的优选材料。BST薄膜还可 应用于压电传感器和光信号处理器等。 近年来，有很多关于BST薄膜制备的研究，诸多 方法可用来制备BST薄膜口~7]，例如溶胶凝胶法、金 属有机物化学气相沉积、激光脉冲沉积、磁控溅射等。 在诸多方法中，射频磁控溅射法是由单靶沉积，因其具 有高的沉积速率、价格低廉、能沉积大面积均匀的薄膜 等特点而备受关注。用射频磁控溅射法制备BST薄 膜目前已有一些报道，然而关于溅射参数对BST薄膜 图1 后的XRD衍射图 影响的报导却不多。 l XRD ofBSTthinfilms at Fig patterns deposited 本文通过研究BST薄膜的晶化行为和显微结构， differentsubstratestemperatureand 确定了影响薄膜结构的重要沉积参数，进而制备了可 at700℃ 用于非致冷红外焦平面阵列的优质的BST薄膜。 -基金项目：国家自然科学基金资助项目(5