溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.pdfVIP

助 锨 财 让——一—』哑年第11期(40)卷 溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。 郭继花1，黄致新1，崔增丽1，杨磊1，邵剑波1，朱宏生1，章平2 (1．华中师范大学物理科学与技术学院，湖北武汉430079； 2．郧阳师范高等专科学校物理系，湖北丹江口442700) 摘 要： 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制 真空度优于1．0×10～Pa。溅射气体为高纯氩气，氩 j}晶垂直磁化膜，研究了溅射工艺对 得了GdTbFeCo 气流量为20cm3／rain。 XP-2型表面形貌仪测 GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。测量结果表明，基薄膜厚度采用Ambious 片与靶间距为72mm，溅射功率为75W，溅射气压为定，薄膜磁性能采用磁光特性测试仪测量，薄膜的物相 0．5Pa，薄膜厚度为120nm时，GdTbFeCo薄膜垂直方 向矫顽力为477．6kA／m，克尔角为0．413。。 膜而言，溅射制膜工艺参数以及膜层结构都可能对其 关键词： 射频磁控溅射；GdTbFeCo；磁光性能；溅射磁性能产生影响，本文重点研究溅射工艺对GdTbFe- 工艺 Co薄膜磁光性能的影响。 中图分类号：TM271 文献标识码：A 3结果与讨论 文章编号：1001-9731(2009】11-1802-03 经XRD分析测定表明，溅射制备出的一系列 1 引 言 磁光存储通常要求存储介质薄膜有较高的垂直磁 膜仍然为非晶态。 各向异性、较高的矫顽力、良好的写人特性和较强的磁 3．1 基片温度对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响 光克尔效应。研究表明非晶稀土一过渡金属合金薄膜 将基片放在样品转台的加热炉上，加热炉可对基 是目前最有潜力的记录材料。这种薄膜具有高的垂直 片进行加热，加热控温采用日本岛电公司的温度控制 磁各向异性，良好的磁温度特性与适当的饱和磁化强 器FP53控温表。当基片达到目标温度时即开始溅 度MI，适合用作高密度磁光记录介质与混合记录介 射。 质r1。引。 其中，二元和三元稀土一过渡金属合金薄膜的制备 薄膜的磁光克尔磁滞回线。从图l上可以看出，薄膜 过程以及磁和磁光性能得到了广泛的研究。而且重稀 的磁滞回线较规则，并且基片温度为150℃时的GdT— 土一过渡族金属(HRE—TM)三元非晶垂直磁化膜作为bFeCo薄膜的克尔角和矫顽力都优于薄膜厚度为基片 第一代磁光盘记录介质己经市场化，其中具有代表性 温度为20℃时的GdTbFeCo薄膜。 的HRE-TM实用化磁光记录薄膜是TbFeCo和Dy- FeCo薄膜[t矗]。但是关于四元稀土一过渡金属合金薄 膜的研究还比较少，Hairston等E63报道了含有Gd的 稀土一过渡金属合金薄膜的磁光特性比其它稀土一过渡 金属合金薄膜大的多。且含有Gd的TbFeCo薄膜具 有一定的抗氧化性ET]。另外，由于Gd的价格比Tb 低，还可以达到降低成本的目的。本文研究了溅射工 艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。 图1 基片温度为20、150℃时薄膜的磁光克尔磁滞 2 实验 回线 1 Kerr of Fig hysteresisloop 成功了制备了具有高矫顽力的GdTbFeCo薄膜