电工学--半导体器件及放大电路培训.pptVIP

第一章 半导体器件及放大电路 第一节 PN结 1、本征半导体 本征半导体的导电机理： 2、杂质半导体 （2）P型半导体 杂质半导体的示意图 二、PN结及其单向导电性 2、PN结的单向导电性 （2） PN 结加反向电压（反向偏置） 练习题： 第二节 半导体二极管 一、二极管的结构 二、二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 四、 二极管电路分析举例 例1： 例2： 例3： 例4： 例5： 练习题： 第三节 特殊二极管 3、主要参数 4、稳压电路 二、 发光二极管（LED） 三、光电二极管 第四节 半导体三极管 一、 基本结构 结构特点： 二、晶体管的电流放大原理 1、晶体管放大的外部条件 2、三极管内部载流子的运动规律 2、三极管内部载流子的运动规律 3、各电极电流关系及电流放大作用 晶体管处于放大状态时: 电流实际方向和发射结、集电结的实际极性. 4、晶体管的三种连接方式 三、晶体管的特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 晶体管工作状态的电流关系判断法： 例1： 四、主要参数 2、集-基极反向饱和电流 ICBO 4、极限参数 晶体管的安全工作区 五、温度对晶体管参数的影响 例2: 练习题： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 发射结正偏、集电结反偏 N N P EB RB EC RC B E C EC EB 从电位的角度看： NPN管 PNP管 发射结正偏 集电结反偏 电位关系 VB VE VC VB VC VB VE 集电极电位最高 VB VE VC VB VC VB VE 发射极电位最高 发射结 集电结 因集电结反偏，从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 因发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入P 区的电子少数与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 B E C N N P EB RB EC RC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE ICE 因集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO B E C N N P EB RB EC RC IE IBE ICE ICBO IC IB IC = ICE+ ICBO ? ICE IB = IBE – ICBO ? IBE 定义： 集－射极穿透电流，温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICEO 共发射极直流电流放大倍数 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.001 IE(mA) 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.001 IC(mA) 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 IB(mA) 结论： (1) IE = IB + IC (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大的变化 β= ? IC / ? IB ——晶体管的电流放大作用 IB UCE B E C EB RB uA V mA mA V EC IC IE + – UBE + – RC B E C IB IC IE + - UBE UCE - + + - - + NPN型三极管 UBE 0， UCE 0 PNP型三极管 B E C IB IC IE + - UBE UCE - + + - - + UBE 0， UCE 0 共基极 共发射极 共集电极 共什么极指哪个极为输入回路和输出回路的公共端。 E C B 共基极 E C B 共发射极 E C B 共集电极 无论哪种连接方式，要使管子有放大作用，都必须保证发射结正偏、集电结反偏。其内部载流子传输过程相同。 ——用来表示晶体管各极电压与电流的之间相互关系曲线。 反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 重点讨论共射极放大电路。 输入回路 输出回路 IB UCE B E C EB RB uA V mA mA V EC IC IE + – UBE + – RC 特点:非线性 死区电压 硅管0.5V 锗管0.1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 放大状态时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ?0.3V IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 IC=