第一章_半导体中的电子状态.pptVIP

* 绝缘体和半导体的能带结构基本上是相似的，在价电子基本占满的价带和基本上全空的导带之间隔有禁带。唯一有区别的是，半导体的禁带宽度较窄，约为1eV左右，因而在室温下，价带中不少电子可以被激发到导带中形成导电电子并在价带中留下导电空穴。故此，原先的空带和满带都变成了部分占满的能带，在外电场作用下，导带的电子和价带的空穴都能够起导电作用。这是半导体与金属导体的最大差别。而绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大能量，在通常温度下，能激发到导带的电子很少，所以导电性很差。 * 1.如何在能带图中识别半导体和绝缘体？ 2.为什么半导体的电阻会随温度升高而 降低？ * 在室温及正常气压下， 硅的Eg=1.12eV， 砷化镓的Eg=1.42eV 本征半导体的导电机构 T＝0K时，所有电子都位于价带，而导带中并无电子，因此半导体在低温时是不良导体。 在室温下，热能kT占Eg的一定比例，有些电子可以从价带激发到导带。因为导带中有许多未被占据的能态，故只要小量的外加能量，就可以轻易移动这些电子，产生可观的电流。 * 空穴与导电电子 当价带顶部的一些电子被激发到导带后，价带中就留下了一些空状态。相当于在左图中的共价键上缺少一个电子而出现一个空位。在晶格间隙出现一个导电电子。根据电中性的要求，可以认为这个空状态带有正电荷。 * 本征激发---当温度一定时，价带电子受到激发而 成为导带电子的过程。 * A、荷正电：+q； B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n），在本征 半导体中 n=p ； C、EP=-En 主要特征 空穴---将价带电子的导电作用等效为带正电荷 的准粒子的导电作用。 * 因此，在半导体中存在两种载流子：（1）电子（2）空穴 * 杂质半导体的导电机构 1、n 型半导体　　四价的本征半导体 Si、Ge 等掺入少量五价的杂质元素( 如 P、As 等 )就形成了电子型半导体，也称 n 型半导体。 ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋5 As ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si 导电电子 施主(donor)：左图显示一个硅原子被一个带有5个价电子的砷原子所取代。此砷原子与4个邻近硅原子形成共价键，而其第5个电子有相当小的束缚能，能在适当温度下被电离成传导电子。通常我们说此电子被施给了导带。砷原子因此被称为施主。由于带负电载流子增加，硅变成n型。 * 在 n 型半导体中　　电子 —— 多数载流子　　空穴 —— 少数载流子 量子力学表明，这种多余电子的能级在禁带中紧靠空带处。△ED ～ 10-2eV，极易形成电子导电。该能级称为施主能级( donor )。 * ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋3 B ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si 空穴 受主(acceptor)：当一个带有3个价电子地硼原子取代硅原子时，需要接受一个额外的电子，以在硼原子四周形成4个共价键，也因而在价带中形成一个带正电的空穴（hole）。此即为p型半导体，而硼原子则被称为受主。 2、p 型半导体　　四价的本征半导体 Si、Ge等掺入少量三价杂质元素( 如 B、Ga、In 等 )形成空穴型半导体，也称 p 型半导体。 * 在 P 型半导体中　　　空穴 —— 多数载流子　　　电子 —— 少数载流子 量子力学表明： 这种多余空穴的能级在禁带中紧靠满带处，DEA 10 -1 eV，极易产生空穴导电，称受主能级( acceptor ) 。 * 半导体、导体、绝缘体的能带 1.如何在能带图中识别半导体和绝缘体？ 禁带的宽窄！ 2.如何解释半导体的电阻率可在很大范围内改变？ 禁带的宽度较窄！ 思考题: * §1·3 半导体中电子的运动 有效质量 Electron movement in Semiconductors 一. 电子的速度和动量定理 自由电子 ∴ 三维 * 二、半导体中电子的E(k)与k的关系 * Eg 空穴能量 电子能量 导带 价带 自由电子 * 三、有效质量 “有效质量”的物理意义：…… 空穴的“有效质量”： * * 四、半导体中电子的平均速度和加速度 * 思考题： 1.在恒定外电场的作用下，理想晶体电子在k 空间作什么运动？ 2.在恒定外电场的作用下，理想晶体电子在实空间作什么运动？ * 一 、原子的能级和晶体的能带 (1)孤立原子的能级 * 其中m0是自由电子的质量，q是电荷量，ε0是真空介电常数（free-space permittivity），h是普朗克常数（Plank constant），n是正整数，称为主量子数