第二章_半导体中的杂质和缺陷能级.pptVIP

* 正、负电荷所处介质的介电常数为： * 估算结果与实际测量值有相同数量级： Ge： △ED ～ 0.0064 eV Si: △ED ～ 0.025 eV * 五、杂质的补偿作用 * * 能带角度： 实空间角度：施主周围有多余的价电子，受主周围缺少电子，施主多余的价电子正好填充受主周围空缺的价键电子，使价键饱和，使系统能量最低---稳定状态 同时具有施主和受主杂质--------杂质的补偿作用 杂质补偿度 注意：ND ≈ NA 并非高纯半导体 * （A）NDNA时： n型半导体 ED 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互 “抵消”，剩余的束缚电子再电离到导带上。 有效的施主浓度 ND*=ND-NA * 因 EA 在 ED 之下 ，ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离到价带上。 ED （B）NAND时： p型半导体 有效的受主浓度 NA*=NA-ND * （C） NA≌ND时 杂质的高度补偿 本征激发的导带电子 Ec ED EA Ev 本征激发的价带空穴 * 六、深能级杂质 （1）浅能级杂质 （2）深能级杂质 △E D≮Eg △EA≮Eg △EDEg △EAEg 非III，V 族杂质 特点： 1o 杂质能级离带边较远，?ED，?EA可与Eg 相比拟； 2o 多次电离? 多重能级，还有可能成为两性杂质. * 例1：Au（Ⅰ族）在Ge中 Au在Ge中共有五种可能的状态： （1）Au+； （Au0 – e） （2） Au0 ；（电中性态） （3） Au一 ； （4） Au二 ； （5） Au三 结论： 1o Au0→Au+ 释放电子到导带， ?ED ≈Eg 且 ?ED 略小于Eg（为什么？） 2o EA1 EA2 EA3（为什么？） * 例2：Au（Ⅰ族）在Si中 EC EA ED EV 深能级杂质的作用： 1o ?ED，?EA 较大，杂质电离作用较弱，对载流子（导电电子和空穴）浓度影响较小； 2o 对载流子的复合作用较大（复合中心），降低非平衡载流子的寿命. * §2.2 III-V族化合物中的杂质能级 II族元素杂质 VI族元素杂质 受主作用 施主作用 举例：GaAs 中掺Si（Ⅳ族） Si Ga 受主 SiAs 施主 在化合物半导体中，某种杂质在其 中既可以作施主又可以作受主，这 种杂质称为两性杂质。 两性杂质 IV族元素杂质 * （1）等电子杂质 特征：a、与本征元素同族但不同原子序数 例：GaP中掺入Ⅴ族的N或Bi b、以替位形式存在于晶体中，基本上是 电中性的。 III、V族元素杂质 （2）等电子陷阱 等电子杂质（如N）占据本征原子位置（如GaP中的P 位置）后，即 存在着由核心力引起的短程作用力，它们可以吸引一个导带电子（空穴）而变成负（正）离子，就是电子陷阱(空穴陷阱)。 N NP * 例：GaP：N NP+e NP-（等电子陷阱）之后 NP- +p 即等电子陷阱俘获一种符号的载流子后， 又因带电中心的库仑作用又俘获另一种带 电符号的载流子，这就是束缚激子。 束缚激子 （3）束缚激子 * §2.3 缺陷能级 Imperfection Level 缺陷定义——实际晶体与理想晶体相比有一 定程度的偏离或不完美性，把这种 结构发生偏离的区域叫缺陷。 缺陷产生的原因——热振动、杂质等 缺陷分类——点缺陷、线缺陷、面缺陷 * 晶体结构缺陷的类型 缺陷的 类