ANSIN技术 DZA 过硫酸氢钾复合盐与过硫酸钠在PCB微蚀刻中的对比研究--表面技术(一).docVIP

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ANSIN技术 DZA 过硫酸氢钾复合盐与过硫酸钠在PCB微蚀刻中的对比研究--表面技术(一)

过硫酸氢钾复合盐与过硫酸钠在PCB微蚀刻中的对比研究 李沛弘,杨万秀,宋海鹏 (上海安而信化学有限公司.上海,200001) 摘要:通过失重法进行微蚀速率测定,对过硫酸氢钾复合盐与过硫酸钠在PCB微蚀刻中的应用效果进行了对比研究。分析了SPS浓度、KMPS浓度对蚀刻速率的影响, 阐明了硫酸浓度、硫酸铜含量与KMPS、SPS蚀刻速率的各自关系。实验结果表明过硫酸氢钾体系的性能优于过硫酸钠体系。 关键词:过硫酸氢钾复合盐; 微蚀刻;过硫酸钠;PCB [中图分类号] TG177 [文章标识码] B Comparation Study on Potassium Monopersulfate Compound and Sodium Persulfate in the PCB micro-etch Field Li Peihong, Yang Wanxiu, Song Haipeng (Shanghai Ansin Chemical Ltd.Co. Shanghai,200001) Abstract: The application of Potassium Monopersulfate Compound and Sodium Persulfate in PCB micro-etch was studied comparably by loss-weight approach to measure the micro-etch velocity. The effects of SPS and PMPS concentration on the etching velocity was analyzed, and the relations of H2SO4 and CuSO4 concentration with KMPS and SPS etching velocity was showed, respectively. Experiments indicate that the performance of Potassium Monopersulfate Compound system is more excellent than that of Sodium Persulfate. Key Word: Potassium monopersulfate; micro-etch; sodium persulfate; PCB 1 前言 传统PCB工艺常用的微蚀体系为过氧化物体系,主要有双氧水和过硫酸钠两种体系[1-3]。双氧水易分解,而稳定剂的价格又较为昂贵,铜离子对过硫酸盐体系有催化作用,这些客观问题使以上两种体系均存在稳定性差、蚀刻速率不稳定、蚀刻效果不理想等缺点,不能很好的满足当前的蚀刻要求[4]。目前有一种新的过硫酸盐—单过硫酸氢钾复合物面世,单过硫酸氢钾复合物(Potassium Monopersulfate Compound)又名OXONE,以下简称KMPS或PMPS[5]。该体系的活性组分是KHSO5,它是单过硫酸的酸式盐,作为复合盐的一个组成部分以2KHSO5·KHSO4·K2SO4存在。该物质有非常强大而有效的非氯氧化能力,已逐渐成为PCB行业新一代的微蚀体系[6]。本文通过研究,将过硫酸钠与过硫酸氢钾两种体系在PCB微蚀刻中的应用进行对比。 2 实验器材与方法 2.1 实验器材 过一硫酸氢钾复合盐(上海安而信化学有限公司,分析纯)、Cuso4 (哈尔滨化工试剂厂,分析纯)、98%硫酸(上海华谊化学有限公司,分析纯)、铜板(单面板)。过硫酸钠(爱建德固赛(上海)引发剂有限公司,分析纯) 2.2实验方法 实验采用失重法对微蚀速率进行测定。 ①每次实验取一块标准样片(4cm×4cm),清洗干净,用滤纸吸干表面水分; ②将样片于110℃下干燥约20分钟; ③自然冷却后称重,记为W1(单位:g,精确到四位小数); ④在烧杯中进行模拟微蚀实验,时间2分钟; ⑤样片取出后迅速清洗干净,用滤纸吸干表面水分; ⑥与②同样条件下干燥,自然冷却后称重,记为W2; ⑦计算公式: v (μm /min)=(W1-W2)/(ρ*S*2) =Δm/(A·ρ·t) 式中:v—蚀刻速度,μm/min ; Δm—蚀刻质量,mg ; A—蚀刻面积,mm2 ; ρ—铜箔密度,8.9g/cm3 ; t—蚀刻时间,min。 3 实验结果与讨论 3.1浓度对蚀刻速率的影响 根据蚀刻工艺要求,以温度为40℃,硫酸体积比为3%条件下,考察两体系不同浓度对蚀刻速率的影响,实验结果如图所示。 图1 SPS浓度对蚀刻速率的影响 图2 PMPS浓度对蚀刻速率的影响 Fig. 1 Effects of SPS

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