数电研讨用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器.docxVIP

数字电子技术研究性学习报告用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器学院：电子信息工程学院指导教师：侯建军摘要本文主要研究了用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器。首先分析CMOS传输门和CMOS与非门原理；然后设计出CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器；阐述电路工作原理；写出特征方程，画出特征表，激励表与状态图；计算出激励信号D的保持时间和时钟CP的最大频率；将设计的D触发器转换成JK触发器和T触发器，最后对CMOS构成的D触发器进行辨证分析。关键词CMOS传输门 CMOS非门边沿D触发器最大频率辨证思想AbstractThis paper mainly studied how to use CMOS transmission door and CMOS gate design edge D flip-flop. Firstly analyzes CMOS transmission door and CMOS nand gate principle; Then design a CMOS transmission door and CMOS gate design edge D flip-flop; This circuit principle of work, Write characteristic equation, draw the feature list, incentive table and state diagram; To calculate the excitation signal D retention time and clock CPs maximum frequency; The design of the D flip-flop into JK flip-flop and T trigger, the CMOS a D flip-flop syndrome differentiation and analysis.Key words:CMOS transmission door；CMOS gate edge；D flip-flop； maximum frequency dialectic thought目录摘要2Abstract2第一章基本器件结构图以及功能51.1 CMOS传输门51.2 CMOS反相器51.2.1电压传输特性和电流传输特性51.2.2 CMOS反相器特点6第二章设计方案一72.1设计思路72.2性能评估7第三章设计方案二83.1 电路结构图83.2工作原理83.3 性能评估9第四章设计方案三94.1电路结构图94.2工作原理104.3性能评估104.4 方案对比10第五章激励信号D的保持时间和时钟CP的最大频率115.1分析与结论11第六章写出特征方程，画出特征表，激励表与状态图116.1特征方程116.2特征表（如表5-1）116.3激励表(如表5-2)116.4状态转换图（如图8）12第七章设计拓展127.1思想启发127.2功能简述127.3电路结构127.3.1 由CMOS传输门和CMOS反相器构成的异或门127.3.2 抢答器结构图如图10137.3.3 工作原理147.4 电路的改进157.4.1 改进的原因15第八章将设计的D触发器转换成JK触发器和T触发器158.1 D触发器转换成JK触发器（如图14）158.2 D触发器转成T触发器（如图15）16第九章收获与感想16致谢17参考文献17第一章基本器件结构图以及功能1.1CMOS传输门图1原理：所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门(如图1)由一个P沟道和一个N沟道增强型MOS管并联而成，如上图所示。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为0V到+5V。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏，故T2的衬底接+5V电压，而T1的衬底接地。传输门的工作情况如下：当C端接低电压0V时T1的栅压即为0V，vI取0V到+5V范围内的任意值时，TN均不导通。同时,TP的栅压为+5V，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。为使开关接通，可将C端接高电压+5V。此时T1的栅压为+5V，vI在0V到+3V的范围内，TN导通。同时T2的棚压为-5V，vI在2V到+5V的范围内T2将导通。由上分析可知，当vI＜+3V时，仅有T1导通，而当vI＞+3V时，仅有T2导通当vI在2V到+3V的范围内，T1和T2两管均导通。进一步分析还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。这是CMOS传输出门的优点。1.2 CMO