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半导体器件BWU

单向导电性 PN结加正向电压导通 当PN结加正向电压时,外电场与内电场方向相反,空间电荷区变窄,扩散运动加剧。由于电源的作用,扩散运动不断地进行,形成正向电流,正向电阻很小。 单向导电性 PN结加反向电压截止 当PN结加反向电压时,外电场与内电场方向相同,空间电荷区变宽,漂移运动加剧。由于电源的作用,漂移运动不断地进行,形成反向电流,其值非常小,可忽略。 β= ICN/IBN IE=IBN+ICN IC=ICN+ICB0 IB=IBN-ICB0 IC= βIBN+ICB0 = β(IB+ICB0)+ICB0= βIB+(1+ β)ICB0 = βIB+ICE0 ICBO集、基极间反向饱和电流 ICE0穿透电流判断晶体管质量的好坏(IB=0) IC= βIB 电流分配定律 前提:发射结正向偏置,集电结反向偏置 IC= βIB IE=IC+IB=(1+ β)IB 放大等效 截止等效 饱和等效 结论 截止等效 饱和等效 N沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道增强型 P沟道耗尽型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 1.4.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE

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