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嵌入式系统中的RAM浅谈.doc

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嵌入式系统中的RAM浅谈

当前常见计算机存储器介绍   随机存储器(RandomAccessMemory,RAM)也叫主存,俗称内存(Memory),其广意指计算机中的各种内存,而RAM只是其中的一种。RAM做为组件称为内存条,它的技术、性能及容量等随着CPU的更新而不断更新与提高,以适应更快更好的CPU运行的需要。   RAM一般分为两类:动态RAM(DynamicRAM,DRAM)及静态RAM(StaticRAM,SRAM),由于SRAM的读写速度远快于DRAM,所以PC中SRAM大都作为高速缓存(Cache)使用,DRAM则作为普通的内存和显示内存使用。RAM的特点是可以随时存取数据,但是一旦断电,保存在其中的数据就会全部丢失。   衡量DRAM的重要指标是RAM芯片的存取时间,通常用纳秒(ns)表示,常见的有60ns、70ns和80ns,数值越小,速度越快。   从接口形式上分,RAM有早期使用的DIP(DoubleInlinePackage,双列直插式封装)RAM,后多采用SIMM(SingleInlineMemoryModule)RAM和当前最流行的DIMM(DualInlineMemoryModule)RAM。现在Pentium级主板一般提供SIMM和DIMM两种RAM插槽,而P级主板往往只提供DIMM内存插槽。   内存条模块有统一的引线标准,有30线与72线的SIMM模块及目前新型168线与200线DIMM模块,分别用于不同档次的计算机。早期DIP内存由于容量小(256KB、1MB)不便于扩展,现已淘汰。DIMM是指双在线模块,与早期的SIMM单在线模块有很大区别。最早的30线SIMM模块来说其内存条插槽都必须插有相同容量的模块。而72线SIMM模块,在486计算机上可以每个插槽为一组,对于586计算机,仍需两个插槽为一组。186线DIMM模块内存条为目前较新的内存条,其特点是在长度增加不多而模块的总线宽度增加一倍;另一个优点是可制成体积非常小的32位模块即SODIMM,为笔记本计算机所采用内存条的标准模式;DIMM内存条可单条使用,不同容量的标准条可以混用。   30线内存条的数据是8位,因此,当用于286、386SX等16位数据线的电脑时,必须成对使用;当用于386DX、486等32位数据线的电脑时,必须四个完全一样的内存条一起组成一个体(Bank)使用,否则计算机将因位数不齐无法传输数据而死机。由于奔腾系列机具有64位数据线,因此若用30线内存条,每次至少要用两个体即8条,故在586主板上已不用此形式,而直接使用72线和168线内存条。72线内存条的数据线为32位,因此在32位的主板上,可以单独使用。   另外,目前的热门话题是内存条的工作时钟,一般168线的DIMM内存条可为60MHz、67MHz、75MHz和83MHz。而新近推出的一种200线DIMM内存条,其工作时钟为77MHz、83MHz和100MHz。   常见每一条SIMM内存条容量为4M、8M和16M,最大可支持到64M。一条168线的DIMM内存条容量为8M、16M、32M、64M和128M等。      各种随机存储器的特点      1.DRAM(DynamicRAM,动态随机存储器)   最初为页面模式存储器(PageModeRAM,PMRAM),后来则为快速页面方式存储器(FastPageModeRAM,FPMRAM),CPU访问连续地址时,在指出行地址后,它只要不断地指定列地址就可以读出数据。在取出同一行的数据时,用不着每一次都要再指定行地址,因而可以提高读写速度。   2.EDORAM(ExtendedDataOutRAM,扩展数据输出存储器)   EDO技术只需在普通DRAM的接口上增加了一些逻辑电路,以减少定位读取数据时的延时,从而提高了数据的存取速度。通常被读取的指令或数据在RAM中是连续存放的,即下一个要读写的单元位于当前单元同一行的下一列上。所以在读写的单元的周期中,就可以初始化下一个读写周期,EDO技术正是利用这一地址预测功能,从而缩短读写周期。另外,为了使充电线路上的脉冲信息保持一定的时间,EDO技术还在输出端增加了一组“门槛”电路,将充电线上的数据保持到CPU准确读完为止。   EDO技术与以往的内存技术相比,最主要的特点是取消了数据输出与传输两个存储周期之间的间隔时间。同高速页面方式相比,由于增大了输出数据所占的时间比例,在大量存取操作时可极大地缩短存取时间,性能提高近15%~30%,而制造成本与快页RAM相近。   3.BEDORAM(BurstExtendedDataOutputRAM,突发扩充数据输出随机存储器)   突发模式技术是假定CPU要读的下四个数据的地址是连续的,同时启动对它们的操作

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