图形内正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形影响的研究毕业论文答辩文稿.pptxVIP

图形内正电荷积累效应对 多晶硅刻蚀图形影响的研究 答辩人：张云峰 指导老师：杨靖主要内容现状集成电路自60年代问世以来，有了十分迅速的发展。其集成度以每年25%的速度增长，随着大规模集成电路的发展，对半导体单元器件的性能要求越来越高，也为制造工艺提出了更高的要求。集成电路工艺和器件的计算机模拟是集成电路开发和生产的必需技术，很大程度的减少成本，缩短开发周期。工艺器件的细微化、工艺的高成本使得计算机模拟在今后会越来越重要。研究意义在目前等离子刻蚀的研究中，主要集中在入射离子的种类、角度分布以及动量分布等方面，而对正电荷积累产生的影响的研究报道很少。在本论文中，通过建立仿真模型，参考实际工艺中的参数，对多个参数控制，进行仿真模拟，以获得正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形的影响的深入了解。1.物理化学基础反应过程Si的刻蚀原理实验步骤化学反应SiCl3 (s)+Cl(g)→SiCl4(g)脱离ion溅射SiClx (s) ? Cl+ ?Si(g)+xCl (g)(x=0~4)ion刻蚀SiClx (s)? Cl+ ? SiClx (g)(x=1~4)ion刻蚀＋溅射Si Clx (s) ? Cl+ ? SiCl (x-y)(g) +yCl (g)(x=0~4 )(y=0~4)仿真模型仿真过程【其中： (S)表示反应表面，(g)表示气体】仿真结果2.设计方案反应过程实验步骤仿真模型仿真过程仿真