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第二章：器件基础 一、 电力电子器件概述 电力电子器件是指可直接用于处理电能，实现电能变换或控制的电子器件，通常专指电力半导体器件。 和普通半导体器件一样，目前电力半导体器件所用的主要材料仍然是——硅。 1、电力电子器件的发展概况 第一代电力电子器件 无关断能力的晶闸管（可控硅）SCR（1957年美国GE公司发明） 第二代电力电子器件 有关断能力的门极可关断晶闸管GTO(1961年)、GTR(1975年)等 第三代电力电子器件 性能优异的复合型器件如：IGBT(1983年)、智能器件IPM (Intelligent Power Module) 等 2、主要损耗 通态损耗：导通（相当于普通晶体管饱和导通）时器件上有一定的通态压降。 断态损耗：阻断（相当于普通晶体管管截止）时器件上有微小的断态漏电流流过。 开关损耗 开通损耗：在器件开通（阻断→开通）过程中产生的损耗； 关断损耗：在器件关断（开通→阻断）过程中产生的损耗。 通常电力电子器件的断态漏电流极小，因而通态损耗是造成器件功率损耗的主要原因。 器件开关（工作）频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素 。 对某些器件来讲，驱动电路向其注入的功率也是造成器件发热的原因之一。 3、电力电子器件的特征（与普通半导体器件相比） 功率远大于信息电子器件，从mW~MW。电压和电流等级是其最重要的参数； 工作在开关状态（相当于普通晶体管的饱和与截止状态），因而动态特性（开关特性）也是很重要的参数，有时甚至是最重要的参数； 需要用驱动电路驱动； 需要装散热器散热； 4、应用场合（可工作区域） 决定应用场合的基本因素：容量和工作频率 SCR GTO GTR(BJT) IGBT 电力MOSEFT MOSEFT 二、电力（功率）二极管 １、工作原理（与普通二极管相同） PN结：正向导通 反向截止 ２、外形 ３、伏安特性 电力二极管承受的正向电压U大到一定值（门槛电压UTO），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降。 当电力二极管承受反向电压时，有微小的反向漏电流。 理想伏安特性 ４、电力二极管的主要类型: 整流二极管： 反向恢复时间trr 5us，一般用于开关频率1KHz以下的整流电路（低频、大容量）。 ——正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。 快恢复二极管：指反向恢复时间trr很短的二极管（ trr =几十~几百ns）。一般用于高频电路。 ——性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 肖特基二极管：反向恢复时间很短（ trr =10~40ns） 正向压降较低，反向漏电流较大，能承受的反向阻断电压较低， 一般用于高频、低电压电路。 三、晶闸管 １、名称 晶闸管（Thyristor） 可控硅（SCR） ２、外形与符号 螺栓式结构(200A) 平板式结构(200A) ３、SCR的工作原理 3、SCR的工作原理（续） 工作原理 （1）阻断状态 A、K两端承受正向电压时：J2反偏阻断； A、K两端承受反向电压时：J1、J3反偏阻断。 3、SCR的工作原理（续） 在SCR的阳极电流大于其擎住电流IL的情况下，撤除触发信号， SCR仍能维持导通。 3、SCR的工作原理（续） （3）SCR的关断 若要关断已导通的SCR，可以通过外部条件使： IA 减小到小于其维持电流IＨ ，SCR便又恢复阻断。 （4）SCR的反向阻断 当A、K两端加上反向电压时，SCR处于反向阻断状态。这时门极加触发脉冲只能增加SCR的反向漏电流。 SCR的（正常）导通条件和关断条件 ４、SCR的伏安特性 UDSM: 正向不重复 峰值电压 URSM: 反向不重复 峰值电压 IH ：维持电流 UBO: 转折电压 （1）正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。 导通后晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 （2）反向特性 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流流过。 当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，则反向漏电流急剧增加。 5、SCR的主要参数 （1）SCR的电压定额 ① 断态（正向）重复峰值电压 UDRM值：在门极开路（IG=0）且额定结温时，允许重复加在管子上的工频正弦半波正向峰值电压。规定U