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电子电路的设计知
电子电路的设计知识 葛汝明 在电子电路的设计过程中,除了应用到常用的电子器件外,还要用到一些特殊的器件,以满足电路功能的需要,如晶闸管(可控硅)、转换器(传感器)等。 所谓转换器(传感器)是指能够感受并能按一定规律将所感受到的被测非电量(包括物理、化学、生物等)转化成便于处理与传输的电量(一般为电量,也有少数为其他物理量,如光信号)的器件或装置。 现介绍部分常用的控制元器件和传感器。 可控硅(晶闸管)简介 可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistor,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等特点,它是大功率形状型半导体器件,广泛应用于电力、电子线路中。 一、可控硅的结构 可控硅是以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。 可控硅的内部结构图 由结构图中可以看出:可控硅是由P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,可以把它等效看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。二、工作原理当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制端(G)加入一个正的电压 四、可控硅的种类可控硅具有单向可控硅和双向可控硅两种,其符号表示分别如下: 单向可控硅 双向可控硅 五、可控硅的伏安特性 1、单向可控硅的伏安特性 可控硅的几个特性 1、正向阻断特性 在伏安特性曲线1中描绘了单向可控硅的正向阻断特性。 阳极加上正向电压,无控制极信号时,可控硅的正向导通电压为正向转折电压UBO。当有控制信号时,正向转折电压会减小(即可在较低的正向电压下导通),转着电压会随着控制极电流的增大而减小。当控制极电流大到一定程度时,就不会再出现正向阻断状态,而进入导通状态,如曲线2所示。 2、导通工作特性 曲线2说明可控硅的导通工作特性。可控硅导通后内阻很小,故管压降也很低,此时外加的电压几乎全部加在外电路的负载上,而负载电流较大,特性与二极管的正向导通特性相似。若阳极电压减小(或负载电阻增加),致使阳极电流减小,当阳极电流小于维持电流IH时,可控硅从导通状态立刻转为正向阻断状态,又回到曲线1的状态。3、反向阻断特性 曲线3为可控硅的反向阻断特性。当可控硅的阳极电压加入反向电压时,可控硅反向阻断(但也有很小的漏电流)。当反向电压增大时,可控硅会在一个较大范围内维持阻断状态,当反向电压增大到击穿电压时,可控硅的电流会突变(增大),此时若不加以 限制,可控硅会烧坏,正常工作时,外加的电压一定要小于反向击穿电压,并留有一定的余地,有曲线3可以看出:可控硅的反向特性曲线也类似于二极管的反向特性曲线。2、双向可控硅的伏安特性 双向可控硅的特性 由双向可控硅的结构图可以看出:双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反极性并联,于是它具有两个方向都导通、关断的特性,即伏安特性也具有两个方向对称的伏安特性图。 由图可以看出,双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组成。第一象限的曲线说明,当加在主电极上的电压使T2对T1的极性为正时(正向电压),用符号U21表示。当这个电压逐渐增加到等于转折电压UB0时,一可控硅触发导通,导通电流为T21,触发电流越大,转折电压越低,此时,和单向可控硅的情况一致。 当加在主电极上的电压使T1对T2的极性为正时,叫反向电压,用符号U12表示,另一可控硅触发导通,这时的电流为I12,这时可控硅的特性曲线在第三象限。由以上分析可知:双向可控硅无所谓阳极和阴极。它的任何一个电极对于一个管子是阳极,对另一只管子便是阴极,反过来也一样。因此,对于双向可控硅而言,无论主电极加上的是正向或者是反向电压,它都能被触发导通。另外双向可控硅还有一个重要的特点:不管触发信号的极性如何(触发信号电压UG对TI是正向还是反向),可控硅都能触发导通。因此交流信号也可以做触发信号,因此双向可控硅可以用于交流双向开关。 双向可控硅的应用范围: 1、用于调节电压、电流的场合 改变双向可控硅的导通角的大小(内阻的大小),通常采用单结晶体管(双基二极管)或双向二极管触发电路; 2、交流无触点开关 只需要双向可控硅的通、断,无需改变导通角,故触发电路简单,一般只用一只限流电阻直接用于交流信号触发。 可控硅的检测 2.双向可控硅的检测 用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组
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