YBa,2Cu,3O,7-δ和MgB,2超导薄膜的制备及微观结构表征.pdf

摘要 摘 要 本论文研究目的是为制备电子学器件用YBCO薄膜和铁电／YBCO双 层膜提供实验参考，并提出一种用热丝化学气相沉积(HFCVD)原位生长 MgB2超导薄膜的方法。 了预处理。用脉冲激光蒸发普通固态烧结靶在0～l 50斜切SrTi03(001)单 沉积(PLD)法制备了Bao．1 融织构靶在正切SrTi03(00 法在蓝宝石基片上原位生长了MgB2超导薄膜。分析和表征了基片斜切角 度对薄膜表面形貌、微观结构和超导电性能的影响。测定了 Bao．1Sro．9Ti03／YBCO双层薄膜的基本微波性能。 运用原子力显微镜、高能反射式电子衍射和扫描电镜对预处理基片和 在其上生长的薄膜表面形貌进行了研究。用x射线衍射仪和透射电镜对薄 膜微观结构进行了分析和表征。用标准四引线法和磁化率测量法测定了薄 膜的超导临界转变温度(疋)。 制备了以“台阶流动方式生长的C取向YBCO薄膜。随基片斜切角度增 大，薄膜晶体质量下降，疋降低。当基片斜切角度大于60时，YBCO表面 产生了较大的台阶，表面粗糙度增大，并产生与台阶边缘垂直的裂纹或孔 1)基片上原位生长了晶体质量良 洞。用PLD法在】．20斜切的LaAl03(00 好和外延程度较高并具有明锐平直界面的Bao．i K)没有受到其上铁电层生长的影响。该异质 质结。YBCO层的L值(88 结介电常数、介电损耗、可调谐性和品质因数基本上可以满足在液氮温度 应用的可调微波器件的要求。 用熔融织构靶制备的YBa2Cu307．6薄膜，不但没有显著降低疋，还明 显抑制薄膜表面颗粒的形成，且在基片表面上和薄膜内形成了具有良好外 延取向生长的纳米尺度的矩形Y203杂相颗粒。 用HFCVD方法在蓝宝石基片上原位生长出了单相的MgB2超导薄膜。 8 oC升高到600oC，薄膜的L由lK升高到36K，且薄膜 生长温度从400 致密度增大，结晶性增高。 斜切基片；脉冲激光沉积：热丝化学气相沉积 Abstract thisthesisisthat areferenceto of The of providing fabrication purpose for YBCOfilmsandferroelectrics／YBCOfilms theirelectronics bilayer and forwardaninsitu methodof films application growth MgB2 putting hotfilamentchemical using vapordeposition． Miscut were exsitu in SrTi03(oo1)substratespretreatedby annealing invacuum．YBCO on flow andinsitu filmswerefabricated oxygen annealing 0～150