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主动器件的特性与应用(上) 宇量 内容标题导览：切换大负载的电路切换直流电源的电路全波整流平顺电路波动滤波电路 　 二极管、晶体管、FET等主动电子器件已经成为各种电子电路不可或缺的器件，因此本文整合常用半导体器件深入探讨应用电路特性。 切换大负载的电路 ．可以控制大负载电流ON/OFF的电路如图1所示利用晶体管切换大约1A左右大负载电流时，必需从外部提供某种程度基准电流；图2是过渡分析图1电路时的动作特性。 动作上为了使晶体管变成ON，必需使用22mA左右的电流，这对个人计算机、DSP等数字电路而言，直接供应如此大电流相当严苛，此时可以使用Darlington切换电路。　 图1 切换大电流的电路范例　 图2 图1的基准电流与输出入电压的波形　 ．巨大电流增幅率的Darlington电路图3的电路与图1一样都是驱动负载的Darlington切换电路，由图可知它是在驱动负载的晶体管 前面插入晶体管 ， 的Emitter再连接于 的Base。 本电路为了纪念原创者Dr.Sidney Darlington，因此称为Darlington电路。　 图3 Darlington电路范例图4后段晶体管Q2的Collector电流1C2可用下式表示: 1C2hFE1 x hFE2 x 1B1------------------(1) 如果Q1与Q2都是同等级晶体管时hFE = hFE1 x hFE2，其结果变成非常大，这也是本电路可以用很小的基准电流控制大Collector电流主要原因，此时必需注意Q1的基准(Base)一直到Q2 Emitter为止的电压会变成1/VBE2 (大约是1.2V左右)，而且随着晶体管种类与基准电流值的不同，有可能变成1.6V。　 图4 Darlington电路的流动电流图5是Q1的基准电流1B1动作波形，VIN = 3V时亦即Q1与Q2 ON时，1B1 = 650μA，此时即使与图1一样驱动负载，从外部提供的基准电流会变得非常小。　 图5 Darlington Switch的基准电流波形图6是Q2 Collector电位VOUT的动作波形，VIN = 3V时VOUT0V，因此它可以用很小的基准电流精确使大电流作ON/OFF切换。　 图6 图3电路的输出入电压波形　 实际上图6的Q2变成ON时，VOUT却不会成为0V(大约是0.1V左右)，造成该现象主要原因是晶体管ON时，Collector与Emitter之间有残留阻抗成份，加上此处有Collector电流流动使得电压降低(该电压又称为Collector-Emitter饱和压称VCE(sat))。 不过 不像 几乎呈一定值，它会随着晶体管种类与Collector电流改变，此时需注意 值，因为它是造成晶体管发热主要原因。晶体管ON时晶体管内的电力损失Pc如下: Pc = VCE(sat) x 1c----------------------(2) 由于Pc变成热能后会从晶体管散逸，因此切换电流极大时必需注意发晶体管热问题。图7的晶体管是在相同封装内将2晶体管作Darlington连接；图8是2个晶体管连接至Darlington晶体管，依此制造成仿真分析用切换(Switching)电路，图中的Q2残留电压非常大，因此必需注意晶体管ON时Collector与Emitter之间产生的电压引发的发热问题。　 图7 Darlington晶体管的结构　 图8 Darlington晶体管的动作原理　 图9是图8电路的VOUT动作波形，由图可知Q2变成ON时会产生大约0.77V左右的残留电压，此时若改用Darlington晶体管的话，残留电压最低只有0.6V，主要原因是Q2的Collector若不比Emitter高一个VBE(0.6V)，Q1的Base-Collector之间的二极管就会变成ON，如此一来Q1就无法发挥晶体管特性正常动作。 基于上述该电位关系因此必需设法使本电路取得平衡，此外VCE(sat)外观上看似变大，不过切换大电流时还是需要注意晶体管的发热问题。　 图9 图7Darlington晶体管发生残留电压 切换直流电源的电路．使用晶体管的电路如图10所示本负载切换电路可以从逻辑电路以控制信号切换提供负载电源，由于切换正电源时高电位电源端设有切换器件，因此本电路又称为High Side Switch。 动作上电路中的控制信号VOUT一旦变成H，就会依照Q2Q1顺序ON提供电源电压VCC至负载端。　 图10 可以使连接VCC与负载RL的电源线ON/OFF的Load Switch电路图11是图10电路的动作波形，由图可知VOUT变成OV/4.77V，它可以用0V/3V的逻辑信号，ON/OFF提供负载端的电源。 Q1 ON时VOUT无达到5V，主要原因是Q1的VCE(s