硅压阻式高温压力传感器.pdfVIP

摘要 { f自从1954年Smith发现硅、锗等半导体材料的压阻效应以来，半导体压 力传懑器得到了迅速的发展。与其他材料的压力传感器相比，半导体压力传感 器具有体积小、质量轻、精度高、温度特性好等优点，特别是半导体压力传感 器的制造工艺与半导体集成电路平面工艺相兼容，这就满足了半导体压力传感 器向集成化、智能化方向发展的需要。目前最常用的半导体压力传感器是利用 扩散工艺做成的PN结型压力传感器。 PN结型压力传感器的主要优点是：工艺简单、易于制造、成本低，但是 它有以下的缺点：漏电大、击穿电压低；使用温度低，受温度影响大；易受辐 射和腐蚀液的影响；不能用于交流电压。为此，人们不断研究如何改进和取消 PN结，介质隔离的压力传感器也由此开始发展。它可以利用键合、湿法腐蚀 等技术，在Si0：上对P型si进行光刻，形成卮阻条；这就取消了PN结，使压 力传感器的温度、隔离等性能得到了提高。捧论文的主要目的就是通过对各种 不同结构的压力传感器的测试、比较，设计出一种新型结构的硅高温压力传感 器，并对其高温特性进行测量。这种高温压力传感器就是SOI型压力传感器。 S01型压力传感器采用Si02作为隔离介质，利用Si0：薄膜的隔离作用， 将P型电阻条与N型衬底隔离开来，这