第五章集成电路工艺原理方法与应用.pptVIP

集成电路工艺原理 复旦大学微电子研究院 2004.8 於伟峰 第九章 刻蚀(Etching) §9.1 VLSI对图形转移的要求 §9.2 湿法腐蚀技术 §9.3 干法刻蚀技术 刻蚀的主要内容：以化学反应或物理作用的方法把经曝光、显影后光刻胶图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形； 与刻蚀性能相关的几个品质因素 刻蚀速率R(etch rate) 单位时间刻蚀的薄膜厚度。对生产效率有较大影响 刻蚀均匀性(etch uniformity) 一个硅片之内或多个硅片之间的均匀性，用刻蚀速率变化的百分比来度量 选择性S(Selectivity) 不同材料之间的刻蚀速率的比例 各向异性度A(Anisotropy) 刻蚀的方向性A=0, 各向同性；A=1, 各向异性 钻蚀(Undercut) 掩膜之下的侧向腐蚀 图形转移的保真度主要取决于刻蚀的选择性和方向性 刻蚀在横向(lateral)和纵向(Vertical)同时发生; 会出现光刻图形的钻蚀(erode); 刻蚀剂会腐蚀衬底从而改变衬底形貌; 方向性 选择性 刻蚀的方向性(directionality) 刻蚀的方向性(etch directionality) 衡量不同方向上的相对刻蚀速率 横向(lateral), 纵向(vertical) 各向同性腐蚀(Isotropic etch) 在所有方向刻蚀速率相同 (一般对化学反应） 各向异性腐蚀(Anisotropic etch) 在不同方向刻蚀速率不同。（一般针对物理刻蚀，如溅射等） 选择性由化学反应决定;方向性由物理过程决定 Selectivity comes from chemistry; directionality usually comes from physical processes. 工艺中刻蚀的选择性和方向性 §9.1 VLSI对图形转移的要求 1 图形转移的保真度 A 定义：A＝V1/Vv 式中，Vl为横向腐蚀速率；Vv为纵向腐蚀速率。 若用刻蚀层深度h和侧向展宽|df－dm|代入，则 |df－dm|＝0，则 A＝0表示图形转移中失真畸变最少，即各向异性刻蚀； |df－dm|＝2h，则A＝1表示图形失真情况严重，即各向同性刻蚀； 通常1A0；因此，各向异性是图形转移过程中保真度的反映 (a) 各向异性腐蚀的极端情况，无横向腐蚀； (b)各向同性腐蚀时，垂直腐蚀和横向腐蚀相等，腐蚀图形的边缘形状为1/4圆弧； 一般是介于(a)和(b)之间； 2 刻蚀的选择比(Selectivity) 式中，Rf 为对薄膜(film)的刻蚀速率；Rm为对掩膜或衬底的刻蚀速率。 一般要求Sfm在25-50之间比较合理； S值的大小和工艺参数相关： 湿法刻蚀过程：与腐蚀剂成份、浓度、温度等 有关； 干法刻蚀过程：与等离子体参数、等离子体化学、气压、气体流量等有关； §9.2 湿法腐蚀 湿法又称为湿化学的腐蚀方法； 一 湿法腐蚀的工艺过程 1，腐蚀液流至硅片表面； 2，腐蚀液与裸露的膜发生化学反应，生成可溶性的副产品或气体； 3，反应生成物从硅片表面移去； 这三个步骤必须同时发生，最慢的一种称为速率限制步骤，它决定着腐蚀(刻蚀)速率； 1，腐蚀不同的材料需要采用不同的腐蚀剂； 2，湿法腐蚀的反应产物必须是气体或能溶于腐蚀液的物质，否则会造成反应产物的沉淀从而影响腐蚀过程的正常进行； 3，一般说来湿法是各向同性的腐蚀；在特定溶液和材料的条件下可显现为沿一定晶面的选择性腐蚀； 4，反应过程常伴有放热和放气，影响刻蚀质量； 5，湿法腐蚀工艺本身的局限性，使得在特征尺寸小于3微米的工艺中很少采用； 二 湿法腐蚀的主要特点： SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O 腐蚀液由HF（40%）和NH4F水溶液混合组成； 影响SiO2腐蚀的主要因素是腐蚀液的配比、腐蚀温度、腐蚀时间和腐蚀方法； 当温度一定时，SiO2的腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2的掺杂程度:SiO2掺磷浓度越高，腐蚀速率越快；掺硼时则相反； 腐蚀时间由SiO2厚度和选用的腐蚀速率决定，考虑到SiO2厚度的误差，应考虑一定的过腐蚀量； 三 常用介质薄膜的湿法腐蚀工艺 1 SiO2的湿法腐蚀 SiO2腐蚀时对温度最敏感，温度愈高，速率愈快，腐蚀时必须严格控制温度(一般在30－40℃)； 腐蚀液的搅动方式对SiO2的腐蚀速率也有影响 可见，喷雾腐蚀是一种较好的湿法腐蚀方法； HF对SiO2与Si有着极高的选择比，通常可好于100/1； SiO2在湿法腐蚀时是各向同性的； 2 Si3N4的腐蚀 硬Si3N4可用180℃ H3PO4腐蚀，由SiO2作掩蔽； 硬Si3