第章半导体二极管及其及其基本电路讲解培训.ppt

2　半导体二极管及其基本电路;引　　言;本章首先简要地介绍半导体的基本知识，接着讨论半导体器件的核心环节——PN结，并重点地讨论半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用；在此基础上，对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予了简要的介绍。;　2.1.1　半导体材料;1. 元素半导体：硅(Si)，锗(Ge)等。 2. 化合物半导体：砷化镓(GaAs) 3.其它：硼(B),磷(P),铟(In)和锑(Sb)等。 目前最常用的半导体材料是：硅和锗;　2.1.2　半导体的共价键结构;Date;　　;Date;　2.1.3　本征半导体、空穴及其导电作用;　2.　本征激发;Date;2.1.4　杂质半导体;　1.　P型半导体;Date;其中，每一个三价元素提供一个空穴，当它从外界获得一个电子后及带负电，成为不能移动的负离子，而丢失电子的半导体元素带正电，半导体此时仍呈电中性。 由于三价元素在半导体晶体中能接收电子，故称之为受主杂质。;P型半导体中空穴数目远远大于自由电子数目，所以，空穴称为多数载流子，简称多子；自由电子称为少数载流子，简称少子。;　2.　N型半导体;Date;其中，每一个五价元素提供一个自由电子，当丢失一个电子后及带正电，成为不能移动的正离子，电子带负电，半导体此时仍呈电中性。 由于五价元素在半导体晶体中能提供电子，故称之为施主杂质。;N型半导体中自由电子数目远远大于空穴数目，所以，自由电子称为多子，空穴称为少子。;2．2　PN结的形成及其特性;　(1).　多子的扩散(观看课件);Date;　(2).　少子的漂移运动;Date;　多子的扩散与少子的漂移运动是一对矛盾。;　(4).　PNJ的电位分布;由图(c)可以看出，电子要从N区到达P区，必须越过一个能量高坡，一般称为势垒，因此，空间电荷区又称为势垒区。;Date; 　2.　PNJ的单向导电性;Date;PNJ正偏时，在PNJ内部将产生一个与ε０方向相反的外加电场εF。 当εF ε０时，将有正向电流 I F 出现，且 I F 随外加电压的升高而增大。 即：PNJ正偏时导电。;　(2).　PNJ反偏截止;Date;通过PNJ的电流为IR ，IR 主要是少子的漂移电流，由于少子的数目很少，所以很小。在一定范围内，IR 不遂外加电压的变化而变化，此时，IR 就是反向饱和电流，用IS 表示。 由于IS 很小，可以忽略，可以认为：PNJ反偏时截止。;当温度升高时，本征激发增强，IR 增加。IR 是造成电路噪声的主要原因之一，必须加以克服(补偿法)。;　(3).　PNJ V－I特性的表达式;Date;式中，iD为通过PNJ的电流，vD为PNJ两端所加的外加电压，V T 为温度的电压当量＝kT／q，当T＝300K时，V T＝0.026V＝26mV。(k=1.38×10－23J/K、T=300K、q =1.9×10－19 C).;　②　式(2.2.1) 的解释：;b.　PNJ反偏时，vD为负值，若 　比V T 大几倍时，指数项趋近于零，即式中的1远大于( )，式中的 可以忽略。这样，PNJ的反向电流 i D＝－I S，且不随反向电压的大小而变动。; 　3.　　PNJ的击穿;Date;　(1).　雪崩击穿;而这些新的“空穴--电子对”又被电场加速，又发生碰撞---电离……从而产生连锁反应，载流子数目剧增，I R 剧增，PNJ击穿(图2.2.7所示)。 雪崩击穿的机理：碰撞电离;Date;　(2).　齐纳击穿;过程：由于PNJ很窄，较小的反向电压在J内可产生很强的反向电场，此电场可把 J内原子的价电子从共价键中“强行拉出来”，使原子电离，产生大量的载流子(少子)，这些载流子在反压的作用下，形成很大的反向电流，PNJ击穿。;齐纳击穿机理：场致电离 雪崩击穿电压：8~1000V; 齐纳击穿电压：5V以下； 两种击穿同时出现：5~8V;　(3).　热击穿;2.3　半导体二极管;1.　点接触型二极管 如图2.3.1(a)所示。点接触型二极管PNJ面积很小，极间电容小承受反压小，功耗电流小。常用于高频检波、脉冲数字电路中开关元件、小电流整流。 例如：2AP1：最大整流电流为16mA，最高工作频率为150MHz。;Date;　2.　面结型二极管;Date;Date;　3.　二极管电路符号;　2.3.2　二极管的V－I 特性;Date;2.　反向特性 如图2.3.3所示的②端段。 由图可知，二极管只有一个很小的反向饱和电流 I S。 3.　反向击穿特性 如图2.3.3所示的③端段。;此时，二极管两端的反向电压基本不变，但反向电流剧增，且很小的一个电压变化，就会引起很大的电流变化。原因同于PNJ击