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3.4.2 用 H 参数的简化模型(微变等效电路)分析共射极基本放大电路;Date;Date;Date;(3) 标出图中电压、电流的正方向。如图3.4.4(b)所示。
2. 求电压增益;式中 R’L=Rc //RL
所以:;例3.4.1 如图3.4.4a的电路,若BJT为3DG6,已知在Q点上的β=40,计算电压增益 。; IE ≈IC=βIB=40×40μA=1.6mA
VCE=VCC-ICRc
=12 V-1.6 mA×4 k =5.6 V
(2) 求 r be,利用式(3.4.6b),得:;(3) 求 利用式(3.4.7),得;3. 输入、输出电阻的计算
输入电阻计算
由图(3.4.5)所示,;Date;由于Rbrbe,所以,Ri≈rbe。按图3.4.4(a)所给数据,可得:Ri=Rb∥rbe=300kΩ∥0.866kΩ≈0.866kΩ;讨论:(P100)
对于放大电路来说,一般要求输入电阻高一些,特别是在信号源内阻Rs较大的场合,作为放大电路输入级来说有为重要;对于输出级来说,则往往需要输出电阻Ro越小越好,从而可以提高放大电路的带负载能力。在分析、设计放大电路时,应全面的加以考虑。;4.两种分析方法的比较
① 图解分析法可用来分析放大电路的静态、动态,主要用于静态分析,可以很方便、直观的设计Q点;
② 当输入的交流信号幅度较小或晶体管基本工作在线性区时,应用小信号模型(微变等效电路)。
③ 当输入的交流信号幅度较大,晶体管工作区延伸到非线性区时,应采用图解分析法。;3.5 放大电路工作点的稳定;为使在更换晶体管或是温度变化引起管子参数变化时,不影响放大电路正常工作(即使Q点的位置基本不变),必须设计能自动调整工作点的偏置电路。; 3.5.1 温度对工作点的影响;(2) 温度每升高1oC,β值将增加0.5%~1.0%左右。β值的增大使输出特性曲线的间隔变宽,Q点的位置上移。
(3) 温度每升高10oC,ICBO增大约一倍( 即ICEO增大约一倍)。从而使IC升高,Q点的位置上移。但因为ICBO较小,其影响可以忽略不计。
综上所述:温度的变化将使Q点的位置发生变化,从而影响放大电路的正常工作。; 3.2.5 射极偏置电路 (分压式电流负反馈偏置电路);[转27];(2) 要求:要使放大电路具有稳定Q点功能,必须满足:
I1 IB (I1为流过Rb1、Rb2的直流电流)
2. 稳定过程
因为I1 IB,所以,晶体管的基???电位近似为:;当温度升高时,其稳定过程如下:;3. 实际情况
在实际应用中,I1、VBE应满足下列要求:
I1 =(5~10) IB
(3.5.1)
VB=(3~5) V
(3.5.2);4. 例3.5.1 试近似估算图3.5.1的Q点,并计算它的电压增益、输入电阻和输出电阻。
解:
(1) 求静态工作点
因;所以
VCE=VCC-ICRc-IERc
≈VCC-IC(Rc+Re) (3.5.3)
IB=IC /β
利用上式可以分别求得Q点处的IC 、IB及VCE 。;(2) 求电压增益
在计算之前,应首先画出放大电路的小信号(微变)等效电路,其过程:
① 画出放大电路的交流通路(画图(3.5.1)的交流通路);
图中Rb=Rb1∥Rb2,RL=Rc∥RL。;Date;② 画出放大电路的小信号(微变)等效电路(如图3.5.2所示);
③ 计算增益P104;Date;(3) 求输入、输出电阻
① 输入电阻计算,如图3.5.3所示;;Date; 由此可见,加入电阻Re之后,放大电路的输入电阻提高了。;② 输出电阻计算,如图3.5.4所示;
先求出Ro,然后再与Rc并联,即可求得放大电路的输出电阻Ro.
在基极回路和集电极回路里,根据KVL(回路电压定律)可得:;Date;Date;Date;例如,当BJT的 =60,rce=100k ,rbe=1k ,
Re=2 k ,Rs =0.5 k ,Rb1=40kΩ,
Rb2=20kΩ,Rs=Rs//Rbl//Rb2=0.48kΩ,则由式(3.5.6)可算得
Ro=100[1+60×2/(1+0.48+2)]kΩ
=3.55MΩ
可见Ro的数值是很大的。;由此例可知,当BJT的基极电位固定,并在射极电路里接一电阻Re,便可提高输出电阻,亦即提高电路的恒流特性。
第6章所要讨论的微电流源,正是利用这一特点而构成的。
书中的解法有些复杂,也可以这样解:;Date;3.6 共集电极电路和共基极电路;Date;Date;1. 电路分析
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