第章光源与光电探测器教学教材.ppt

§4.3.2 光电导探测器 光谱特性曲线覆盖了整个可见光区，峰值波长在515～600nm之间。尤其硫化镉的峰值波长与人眼的很敏感的峰值波长（555nm）是很接近的，因此可用于与人眼有关的仪器，例如照相机、照度计、光度计等。 可见光区光敏电阻的光谱特性 §4.3.2 光电导探测器 2. 光敏电阻的工作特性 2）光照特性 在一定的偏置电压条件下，光敏电阻的光照特性呈非线性关系。 回路电流 ---非线性关系 u---光敏电阻两端电压 ： 光照指数 ：电压指数 §4.3.2 光电导探测器 2. 光敏电阻的工作特性 光照特性曲线 在低偏压，弱光照条件下，α＝1，γ＝1 （i－p关系呈线性关系） §4.3.2 光电导探测器 2. 光敏电阻的工作特性 3）稳定性 光电导探测器的光学性能和电学性能受温度影响较大，随温度升高有的亮阻上升，有的下降，通常用光电导探测器的温度系数来衡量这一性能： 不同材料的器件，光电导探测器有不同的温度系数，一般来说，在弱光照和强光照时Tc较大，中等光照时较小。 §4.3.2 光电导探测器 3. 光电转换规律 图中V表示外加偏置电压，l、b和d分别表示n型半导体得三维尺 寸，光功率P在x方向均匀入射，假定光电导材料的吸收系数为α， 表面反射率为R，则光功率在材料内部沿x方向的变化规律为 相应的光生面电流密度j(x)为 式中e为电子电荷，v为电子在外电场方向的漂移速度，n（x）为在x处的电子密度。 §4.3.2 光电导探测器 流过电极的总电流为 稳态下，电子产生率＝复合率，可求出n(x)。若电子的平均寿命为τ，则电子的复合率为n(x)/τ，而电子的产生率等于单位面积、单位时间吸收的光子数乘以量子效率η，得 τ为电子的平均寿命，η为量子效率 有效量子效率 M为电荷放大系数 M为电荷放大系数，un是电子迁移率，V为外加偏压，l为结构尺寸。 §4.3.2 光电导探测器 4. 光电导探测电路 电路中的参数Vb和RL均会影响输出信号的电压值，那么，如何选择Vb和RL？ §4.3.2 光电导探测器 从图可见，负载电阻RL两端的直流压降为 当光辐射照到探测器上时，探测器电阻Rd就发生变化，负载电阻RL两端压降也就发生变化，这个电压的变化量就是信号电压Vs 当上式等于0时，有RL＝Rd，信号电压为极大值。 §4.3.2 光电导探测器 从电路图可见，在偏压Vb作用下，通过探测器电流I为 Vb,max并不是最佳偏压。 在探测器上消耗的功率P为 经验数据－探测器的功耗不应超过0.1W/cm2，若探测器的面积为Ad，则消耗功率不应超过0.1Ad，与最大允许电压关系为： §4.3.2 光电导探测器 信号、噪声电压随偏流变化图 信号电压呈线性增长直到接近 额定消耗功率为止。 从噪声电压图线看，在偏流较 低时，噪声电压没有信号电压 增长得快；偏流较大时，噪声 电压比信号电压增长得快，因 而信噪比曲线出现极值状态。 但曲线变化比较平缓，信噪比 较大且范围宽； §4.3.2 光电导探测器 5.几种典型的光电导探测器 光电导探测器按晶体结构可分为多晶和单晶两类。多晶类多是薄 膜型器件，如PbS、PbSe、PbTe等，单晶类中常见的有锑化铟 （InSb）、碲镉汞（HgCdTe）、碲锡铅和掺杂型几种。 （1）CdS和CdSe 低造价的可见光辐射探测器（CdS：0.3～0.8μm，CdSe：0.3～0.9μm）。它们的主要特点是高可靠性和长寿命，因而广泛用于自动化技术中。光电导增益比较高(103～104)响应时间比较长(大约50ms) （2）PbS：近红外辐射探测器 在室温条件下探测灵敏度最高的一种红外探测器，室温下的禁带宽度为0.37eV，相应的长波限为3μm。响应时间约20-100μs，广泛用于遥感技术和武器红外制导技术 §4.3.2 光电导探测器 （3）PbTe。 在常温下对4μm以内的红外光灵敏，冷却到90K，可在5μm范围 内使用。响应时间约为10－4～10－5s。 （4）InSb 这也是一种良好的近红外（峰值波长约为6μm）辐射探测器；在77k下,噪声性能大大改善，响应时间短（大约0.4us） （5）HgCdTe探测器 HgCdTe是由半导体CdTe和半金属HgTe采用半导体合金法混合而 成的合金系统。 §4.3.2 光电导探测器 （4）根据不同用途,选用不同特性的光敏电阻。 6. 使用注意事项 （1）用于测光的光源光谱特性必须与光敏电阻的光敏特性匹配； （2）要防止光敏电阻受杂散光的影响； （3）要防止使光敏电阻的电参数(电压、功耗)超过 允许值； §4.3.3 光伏探测器 利用p－n结的光伏效应制成的光电探测器---光伏探测器 与光电导探测器不同，光伏探测器的工作特性要复杂些，P－N结受光照