多数及少数载子相差数个阶级n.PPT

Semiconductor Materials and Diodes 半導體材料與特性 pn接面 二極體電路：直流分析與模型 二極體電路: 交流等效電路 其他形式二極體 半導體材料與特性 (1/25) 前言 最常見的半導體為矽，用在半導體元件及積體電路 其他特殊用途的則有砷化鎵及相關的化合物，用在非常高速元件及光元件 半導體 原子：質子、中子、電子 電子能量隨殼層半徑增加而增加 價電子：最外層的電子，化學活性主要由其數目而定 週期表依價電子數而排列 第四族之矽與鍺為元素半導體 砷化鎵為三五族的化合物半導體 電子與電洞 T=0°K時矽為絕緣體：電子在最低能態，一個小電場無法使電子移動，因被束縛於所屬的原子 增加溫度：價電子得到足夠的熱能Eg (能隙能量)以破壞共價鍵而移出原位，成為晶格內的自由電子，且在原位之空能態為正電荷，此粒子即為電洞 半導體內之電流 自由電子流動 電洞流：價電子獲得能量而流動至 鄰近的的空位如同正電荷反向移動。 能隙能量Eg：破壞共價鍵的最低能量 能隙能量在3-6 eV者為絕緣體，由於室溫之下幾乎沒有自由電子存在，反之為導體 半導體的數量級約為1 eV (=1.6×10-19焦耳) 能帶圖觀念(a) EV為價電帶最高能量 EC為導電帶最低能量 Eg= EV - EC 兩能帶間為禁止能隙 電子無法在禁止能隙中存在 (b)顯示傳導電子產生過程 電子獲得足