芯片测试规范.docVIP

测试规范 适用范围 本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生产；. 目的 2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。 可靠性测试 ? 6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次） ? 6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次） ? PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1 ??? ? 2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上； ???? ? 3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。 ? 7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常； ? 8.高低温老化：环境（60度，-10度） ?? ? 基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。 ?? ? 从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。 ? 9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；--一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到； ? 10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否存在掉程序的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。 1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话就需要SMT制程工艺规避空洞率； 2.功能测试； ? 3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大； ? 4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选； ? 5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次测试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源； ? 6.FLASH压力测试：这部分需要分开来说明 kPa ~106kPa。 测试工具 可调电源（最好能显示对应输出电流） 可调电子负载 示波器 万用表 测试参数 表1 电源芯片测试参数 待测参数 必测项 选测项 测试方法简要说明 ×100％×100％1）设置可调负载，使电源满载输出；2）调节，使输入电压为下限值，记录对应的输出电压U1；3）增大输入电压到额定值，记录对应的输出电压U0；4）调节输入电压为上限值，记录对应的输出电压U2；5〕按下式计算：电压调整率={(U- U0)/U0}×100％式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；1）输入电压为额定值，输出电流取最小值，记录最小负载量的输出电压U1；2）调节负载为50%满载，记录对应的输出电压U0；3）调节负载为满载，记录对应的输出电压U2；4）负载调整率按以下公式计算：负载调整率={(U- U0)/U0}×100％式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；{(U0×I0)/(U1×I1)}×100％ 电源输出端为空载时，记录此时对应可调电源对应的电压、对应电流，分别记为U、I，则： 空载功耗=U×I； 隔离电压 √ 只针对隔离DC/DC 隔离电阻 √ 只针对隔离DC/DC 芯片最大温升 （结温） √ 如果手册给出芯片结-壳之间热阻系数θJC： 将温度传感器或点温计贴于待测电源芯片壳体表面； 调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0； 待电源芯片工作稳定后，读出对应芯片壳体表面温度，记为T0； 则芯片结温=T0+ P0×θJC; 如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数θJA： 调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0； 记录测试现场对应环境温度，记为T0; 则芯片结温= T0+ P0×θJA 比较计算所得芯片结温（T1）与该电源芯片所允许最大结温（T2），设公司要求的此类电源温度降额为T3，则验证T2-T1T3? 工作环境温度 √ 借助高、低温实验进行，观察在高温、低温环境下，电源对应的输出是否满足相应精度要求 存储环境温度 √ 借助环境实验进行，在进行存储之后，电源对应的输出是否满足相应精度要求 图2 电源纹波测试 图3 电源效率曲线 图4 输出功率曲线 ——以下无正文