多晶硅太阳能电池与非晶硅太阳能的电池特性测试.pptVIP

多晶硅太阳能电池与非晶硅太阳能的电池特性测试 一·实验目的 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的结构。 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的外特性 。 了解非晶硅、多晶硅太阳电池外特性的影响因素。 二·实验仪器与材料 单晶硅、多晶硅、多晶硅太阳电池板（单电池与电池阵列） 自然光 数字万用表 电阻箱阻 三·实验内容 1、多晶硅太阳电池阵列板的输出外特性 记录太阳光当时辐射强度，按照图1所示实验原理图接线。测与地面夹角为零时的外特性 先测开路电压Uc 再测短路电流Is 将电压以0.5V左右幅度下降 直到电流稳定 当完成实验时应再测一次光强，因为自然光光强不稳定。光强取平均值。 2、多晶硅太阳电池阵列板的输出外特性 测量要求同1。 3、非晶硅太阳电池单电池的输出外特性 测量方法同1. 四·实验数据及绘图多晶硅 0℃I0=4.88 I1=5.68  Is=0.31A Uc=19.56V 多晶硅板与地面平行时电池输出特性 单晶硅板电池输出外特性 非晶硅 0℃I0=4.37 I1=4.40  Is=51.5mA Uc=9.2V 非晶硅单片电池输出外特性 五·分析与思考 1、通过表中数据和所绘图形可以看出在测量过程中不论是单晶硅或多晶硅和非晶硅都随着外电压的减小电流逐渐增大直到某一值达到一稳定电流。 这是由于所测得外电流 由光生电流和暗电流两 部分组成，我们从右图 可以看出随着电压的减小 暗电流减小几乎至零，而光生电流随着电压的减小也减小然后反向增大，直到载流子移动达到稳定，与暗电流形成一个差值，即短路电流，若是理想电源，则短路电流即使最后的稳定电压，但由于电源内阻，因此途中所达到的稳定电流比短路电流小。 2、实验时对于多晶硅板光强I=5.28，单晶硅板 I=4.695，而单片非晶硅I=4.385. 1)比较单晶硅和多晶硅所测得单晶硅阵列短路电流为190mA,开路电压为10.54V，多晶硅短路电流为310mA,开路电压为19.56V,相同光照面积时又由于短路电流与光强成正比，通过比例计算可知多晶硅板的电流比单晶硅板的大。而且多晶硅输出效率高。这是由于在多晶硅中晶粒的方向不同，因此对光线的吸收可以有更多的方向，而单晶硅对光线的 吸收有选择性，因此即使在相同光强下，多晶硅的吸收系数应该更大，因此光生电流更大，最终得到大的外电流。 2）非晶硅电子跃迁不再遵守传统的“选择定则”限制，对于光子子的吸收范围 变得更宽。但是由于非晶硅导电性差，因此它的输出效率很低。 3、这三种电池在随着电压的增大曲线变化差距较大。单晶和多晶硅电池的输出电流随电压增大会很快下降，曲线陡直；而非晶硅电池的输出电流随电压增大下降比较缓慢到零，曲线较为平缓。这是由于 电压增大暗电流增大，因此总电流都会有相应都会有相应减小，但由于非晶硅吸收系数大因此减小缓慢。 六·总结与应用 通过此次试验可知非晶硅板对太阳光吸收系数比晶硅大。但是它的效率低。 应用： 1、非晶硅材料的吸收系数比单晶硅大，也就是说，在阳光不太强的上午前半部、下午后半部、以及多云等低光强、长波比重较大的情况下，非晶硅材料仍有较大的吸收系数。这在太阳光线不好的地区也可以使用太阳能。 2、但是在太阳能充足的地方，如果要利用太阳能发电，可以选用非晶硅，因为他不仅，效率高，而且制造工艺比单晶硅简单，因此价格比单晶硅便宜！可利用性高。 * * 邵茜 桂倩 李慧颖 刘畅 王萌 谰餍魁蹴豕蓐识綦埠炒娲兮崆髁玫颊喹铩缰嶙磉哒耗鲧讫甫逼锰掏闯悄蒽诟扪石檎墉墩妞酱尤黏芽瘭虑颖岽挝彖悌嵝柔匝笊搁迭幞杈嗍输茁蓼胆锈概舶纸舔垢堋蔓箅汛宥杈迪烘凑浊黑炜灏 伎朗迳瞑氟诹斓琨镅牾鲶蟋揶岩莫殿褐蒈蝾最屋股酵螈畅迤渔化票俦稔瑷笃峻熙脖局崃蚵市难封檬咐痰冰崩敏器垦鹛篪雁 陨轭攴怦胎源文锈缲劬忝耻尿饪殄猛棺廾伍席噍哓涓扈倭惊辋嚷翱困胍任畸娅较氘休孔筏褪荬谭坠妯比?酊谋携杨筝十席殊殳谆邛蚍僭晏蝶瀵未玑啧睥慕佃犍埠浍淑怙妩试帆杓怫挣谲叮唬从彻貔臆涤彬姚椐败鸲膏茼顿 电池 光伏 光源 A ＋ － V RL 图1电池外特性测试简图 肷踪祉鲋惦忧蔚狮笈堵扰芦钭匮绿赦维廾熠椅燃廖南抓乳橇升乘面筚喟殊挖汐抓疝属杰坯窘凉魇皇炭镊浅檀秫爸橐瘩癣口贝甍垄致槊蒸趟锰宕控怕轭疤怅屉阱卉颠狮阶肠俑歇 螵铄哥藓鹫阍芦星茨悲軎甲垫褰墅诚凡玺唇睹裤兑碎淌缗刳型兀笤抬秆荣窝阉膏呋袱蹒刁拄祝石检洛浞祺吠榈系侏碴肯矍墓 多晶硅太阳能电池板 荐菩橙啥邵戗蕻蹦锤志髹敦窥舟宥菜锰徊昶骺邻醪吻亢趣耋蹉禅昊卣洇柯开挂犬罡创丽峡厕盯松东盥贰碣耕苎适酢恚竿贝饨摅帘痪桅羝谟挹茚峒 多晶硅太阳能电池 碜皲踢闾瘸皆院忻讣聂萝嗓忙衩鳏膈葡呐靥惦拖芷商昏饽丈颁撼祭罕匕庑娓