CMOS工艺流程与MOS电路版图举例课件.ppt

* P diffusion CMOS反相器版图流程(2) 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 * Poly gate CMOS反相器版图流程(3) 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 * N+ implant CMOS反相器版图流程(4) 4. 有源区注入——P+，N+区（select)。 * P+ implant CMOS反相器版图流程(4) 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。 * contact CMOS反相器版图流程(5) 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 * Metal 1 CMOS反相器版图流程(6) 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 * via CMOS反相器版图流程(7) 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 * Metal 2 CMOS反相器版图流程(8) 8. 金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 * VDD GND VDD GND inverter： Schematic: Layout: input output m1 m2 m2 m1 * 1. 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口注入形成P管和N管的衬底 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8. 金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 硅栅CMOS 版图和工艺的关系 * 1. 有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶连线多做在场区上。 2. 有源区和P+,N+注入区的关系：有源区即无场氧化层，在这区域中可做N型和P型各种晶体管，此区一次形成。 3. 至于以后何处是NMOS晶体管，何处是PMOS晶体管，要由P+注入区和N+注入区那次光刻决定。 4. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和P+注入区交集处即形成P+有源区， P+注入区比所交有源区要大些。 须解释的问题： * 4. 刻PMOS管S、D 5. 刻NMOS管S、D * VDD Vo Vi Vss 7. 反刻Al 6. 刻接触孔 VDD Vi Vss Vo * 光刻1与光刻2套刻 光刻2与光刻3套刻 * 光刻3与光刻4套刻 光刻胶保护 光刻4与光刻5套刻 光刻胶保护 刻PMOS管S、D 刻NMOS管S、D D D S S * 光刻5与光刻6套刻 VDD Vi Vss Vo 光刻6与光刻7套刻 VDD Vi VDD Vo Vi Vss VDD Vi Vss Vo * Vi Vo T2 W/L=3/1 T1 W/L=1/1 Poly Diff Al con P 阱 Vi Vss Vo VDD * 5) P阱硅栅单层铝布线CMOS的工艺过程 下面以光刻掩膜版为基准，先描述一个P阱硅栅单层铝布线CMOS集成电路的工艺过程的主要步骤，用以说明如何在CMOS工艺线上制造CMOS集成电路。（见教材第7--9页，图1.12） * CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 1、光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔 N-Si SiO2 * 2、阱区注入及推进，形成阱区 N-sub P-well * 3、去除SiO2，长薄氧，长Si3N4 N-sub P-well Si3N4 薄氧 * 4、光II---有源区光刻，刻出PMOS管、NMOS管的源、栅和漏区 N-Si P-well Si3N4 * 5、光III---N管场区光刻，N管场区注入孔，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。 光刻胶 N-Si P- B+ * 6、长场氧，漂去SiO2及Si3N4，然后长栅氧。 N-Si P- * 7、光Ⅳ---p管场区光刻（用光I的负版），p管场区注入， 调节PMOS管的开启电压，然后生长多晶硅。 N-Si P- B+ * 8、光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻 多晶硅 N-Si P- * 9、光ⅤI---P+区光刻，刻去P管上的胶。P+区注入，形成PMOS管的源、漏区及P+保护环（图中没画出P+保护环）。 N-Si P- B+ * 10、光Ⅶ---N管场区光刻，刻去N管上的胶。 N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环（图中没画出）。