三安光电股份有限公司 关于签署《投资合作协议》的公告.PDFVIP

证券代码：600703 股票简称： 三安光电 编号：临2017-046 三安光电股份有限公司 关于签署《投资合作协议》的公告 本公司及董事会全体成员保证公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗 漏，并对其内容的真实、准确和完整承担个别及连带责任。 重要提示: 1、本公司于2017 年 12 月5 日召开第九届董事会第五次会议审议通过了关 于公司与福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府签署 《投资合作协议》 的议案。根据协议约定：公司拟在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或 若干项目公司，投资总额333 亿元（含公共配套设施投资，单位：人民币，下同）， 全部项目五年内实现投产，七年内全部项目实现达产，经营期限不少于25 年。 产业化项目为：1、高端氮化镓LED 衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目； 2、高端砷化镓LED 外延、芯片的研发与制造产业化项目； 3、大功率氮化镓激 光器的研发与制造产业化项目； 4、光通讯器件的研发与制造产业化项目； 5、 射频、滤波器的研发与制造产业化项目； 6、功率型半导体（电力电子）的研发 与制造产业化项目； 7、特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制 造产业化项目。 2、本次投资合作协议事项尚待公司股东大会审议批准。公司将根据有关规 定，履行内部审议程序及信息披露义务。 3、本次对外投资事项不构成关联交易，也不构成《上市公司重大资产重组 管理办法》规定的重大资产重组。 一、协议主体情况 1、相关协议方 甲方：福建省泉州市人民政府 乙方：福建省南安市人民政府 丙方：三安光电股份有限公司 2、协议签订目的 甲方、乙方为推动泉州芯谷南安园区（以下简称“园区”）尽快形成规模化 生产的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、集成电路的研发及产业基地，提升Ⅲ-Ⅴ族化合物 1 半导体、集成电路产业核心竞争力，欢迎并鼓励本公司在园区投资建设化合物半 导体、集成电路及相关产业项目，并对项目在园区的发展给予积极支持。 根据《国务院办公厅关于进一步激发民间有效投资活力促进经济持续健康发 展的指导意见》（国办发[2017]79 号）关于“发挥财政性资金带动作用，通过 投资补助、资本金注入、设立基金等方式，广泛吸纳各类社会资本，支持企业加 大技术改造力度，加大对化合物半导体、集成电路等关键领域和薄弱环节重点项 目的投入”等文件精神，三方本着优势互补、互利互惠原则，经友好协商，达成 本协议。 二、协议主要条款 1、投资项目及规模 本公司在园区投资注册成立一个或若干项目公司（项目公司名称待定，以 下简称“项目公司”），投资总额333 亿元（含公共配套设施投资），达产后年 销售收入约270 亿元（按当前产品单价计算）。产业化项目：1、高端氮化镓LED 衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目；2、高端砷化镓LED 外延、芯片的 研发与制造产业化项目；3、大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目；4、 光通讯器件的研发与制造产业化项目；5、射频、滤波器的研发与制造产业化项 目；6、功率型半导体（电力电子）的研发与制造产业化项目；7、特种衬底材料 研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。 甲方、乙方应尽快将符合本协议约定条件的项目用地交付给本公司，本公 司在项目用地具备开工条件后即实施开工建设。三方应严格履行本协议约定事项， 在甲方、乙方同意给予本公司和项目公司的本协议项下各项投资优惠政策和政府 支持都能落实到位的情况下，全部项目力争五年内实现投产，七年内全部项目实 现达产。本公司承诺项目公司在园区经营不少于25 年。 2、项目用地、基础设施及开工条件 项目用地总面积2500 亩，性质为工业用地，土地使用权期限为 50 年，选 址位于园区内。甲方、乙方承诺，按照国有土地使用权相关法律规定办理出让， 由项目公司依法参与招拍挂，并于2017 年12 月31 日前依法取得首批1000 亩， 并于2018 年3 月15 日前依法取得余下项目用地1500 亩。 甲方、乙方承诺，项目用地的基础设施达到“八通一平”，在本项目开工建 设前全部完成。项目公司可自建 11 万伏变电所，甲方、乙方负责变电所外部的