[工学]7半导体三极管及放大电路.pptVIP

第七章 三极管及放大电路 三极管的结构及特性 基本放大电路的分析 射极输出器 放大电路中的负反馈 功率放大电路※ 图解法 过Q点作一条斜率为 的直线，即得到放大电路的交流负载线。 非线性失真 若工作点偏高，晶体管易进入饱和区，引起饱和失真。 若工作点偏低，晶体管易进入截止区，引起截止失真。 四、 静态工作点稳定电路 静态工作点不但决定了放大电路是否会产生失真，而且还影响着放大电路的电压放大倍数、输入电阻等动态参数。 当环境温度升高时，β和ICEO均会增大，而UBE会下降（当IB不变时），最终导致集电极电流IC增大，从而使晶体管的整个输出特性曲线向上平移。 分压式偏置放大电路 分压式偏置电路稳定静态工作点的过程可表示如下： 1、稳定静态工作点的原理 直流通路 若选取适当的RB1、RB2，使 则 基极电位 与晶体管的参数无关 取VBUBE，则 不受温度影响 2、动态分析 交流通路 没有旁路电容CE 降低了 5.3 射极输出器 1、电路组成 2、静态分析 直流通路 3、动态分析 交流通路 微变等效电路 电压放大倍数 微变等效电路 输入电阻 输出电阻 用“加压求流”法计算 射极输出器的特点 ： 输入、输出电压同相 电压放大倍数略小于1 输入电阻大 输出电阻小 * * 5.1 半导体三极管 一、三极管的基本结构 NPN型 PNP型 三个电极：E、B、C 两个PN结：发射结、集电结 内部结构特点： 1.基区非常薄，且掺杂浓度很低； 2.发射区的掺杂浓度很高。 二、晶体管电流分配及放大原理 实验电路 NPN型. VB﹥VE，发射结加正向电压（正向偏置）；VC﹥VB ,EC﹥EB ，集电结加反向电压 （反向偏置）。 实验电路的测量数据 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.001 IE/mA 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.001 IC/mA 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 IB/mA 结论： 1. 符合基尔霍夫电流定律（KCL），即 2. IC和IE比IB大得多。 3.晶体管要起到放大作用，必须使发射结正偏、集电结反偏。 载流子运动 （1）发射区向基区发射自由电子 ,形成IE （2）自由电子在基区扩散与复合 ,形成IB （3）集电区收集从发射区扩散过来的自由电子,形成IC 两个参数： 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 电流分配： 三、晶体管的特性曲线 实验电路 1.输入特性曲线 和二极管的伏安特性一样，也有死区。 硅管的死区电压为0.5V，锗管为0.1V。 UCE为常数时，IB与UBE与IB之间的关系曲线 2.输出特性曲线 IB为常数时，IC与UCE之间的关系曲线即 输出特性曲线分成三个工作区： （1）放大区——曲线近似与横轴平行的中间部分 放大区时，其发射结正向偏置，集电结反向偏置。 （2）截止区——IB=0曲线以下的狭窄区域 IB=0，IC≈0 晶体管工作于截止区时，发射结和集电结均应处于反向偏置。 （3）饱和区——虚线左侧的区域 有UCEUBE，即VCVB 晶体管工作于饱和区时，发射结和集电结均应处于正向偏置。 四、晶体管的主要参数 1.共射极电流放大系数 、? 当晶体管工作在饱和或截止区时， 不成立， 也不再是常数。 2.集-基极反向饱和电流ICBO ICBO是当发射极开路（IE=0）时由于集电结反偏，集电区和基区中少数载流子的漂移运动所形成的电流。 ICBO愈小愈好 3.集-射极穿透电流ICEO ICEO是基极开路（IB=0）、发射结正偏和集电结反偏时的集电极电流。又称穿透电流。 4.集电极最大允许电流ICM 在使用晶体管时，若ICICM，管子不一定损坏，但?值将大为降低。 5.集-射极击穿电压U(BR)CEO 基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。 6.集电极最大允许耗散功率PCM 当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率 晶体管的安全工作区 5.2 基本放大电路 一、放大电路的组成和工作原理 单管共发射极放大电路的组成 1、EC担负着能量控制作用（放大作用）。 2、EB和RB给晶体管发射结提供适当的正向偏置电压UBE和偏置电流IB。 3、EC和RC给晶体管提供适当的管压UCE，使UCEUBE，以保证管子集电结反向偏置。 4、信号源（es、Rs）提供待放大的交流信号ui。 5、电容C1和C2 具有隔直通交的作用。 电路中有交流、又有直流，晶体管各电压、电流都是由直流和交流合成的总量。 直流量用大写字母大写下标表