[工学]第6章 单片机的并行扩展.pptVIP

第6章 单片机并行存储器扩展 问题的提出 程序存储器ROM的扩展 数据存储器RAM的扩展 芯片介绍 RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）：在程序机器运行期间可以随时写入或读出操作。芯片失电后，存储的内容也随即丢失。一般用于存储数据。 双极型RAM: 读写速度高，功耗不大，集成度低，价格较贵。 单极型RAM: 读写速度较低，集成度高，功耗低，价格较低。 芯片介绍 单极型RAM: 静态RAM（Static RAM—SRAM）：只要芯片持续正常供电，字节单元中的内容就不丢失。缺点是所用MOS管较多，集成度低，成本高，功耗也较大，但是静态RAM读/写速度高，易于扩展，使用方便，不需要刷新，多用在微型计算机中。 动态RAM（Dynamic RAM—DRAM）：存储单元所需要的MOS管较少，集成度高，成本低，功耗相对较低，缺点是需要增加一个刷新电路，周期性地对字节单元刷新，才能维持内容，附加另外的成本。 ROM（Read Only Memory，只读存储器）： 只能读取写入内容的存储器。芯片失电时能保存其内容，主要用作程序存储器。读取速度比RAM慢很多。 MASK ROM（掩模型只读存储器） ：优点是可靠性高，集成度高。缺点是不能改写。这种器件只能专用，用户可向厂家定做。 PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）：可用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。 EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器）写入的速度很慢，且需高压，用特定的EPROM编程器写入信息。这类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗” 。 EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）：采用电擦除方式，且擦除、写入、读出的电源都是+5V，能在线改写。写入时间约10ms，读出时间约为几百纳秒。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP-Plug and Play）接口中。 Flash Memory（快闪存储器）：特点是擦写速度快，集成密度高，容量大。 常用芯片 常用静态RAM存储器芯片 6116（2K×8位）、 6264（8K×8位）、 62256（32K×8位）等。 均DIP封装。 引脚：除电源VCC和GND引脚外，其他引脚主要分三类： 数据线：均以字节作为存储单元，故为8位； 地址线：寻址芯片全部字节单元，数目分别为11、13、15根； 控制线：CE：片选信号输入线。 OE：读选通信号输入线。一般连MCS-51的RD端。 WE：写允许信号输入线。一般连MCS-51的WR端。 EPROM扩展实例----在8031单片机上扩展4KB EPROM 地址范围的确定 取决于CE（片选）和地址线的接法，本例中CE接地。请确定地址范围（） 试根据电路图，确定其中EPROM的地址范围。 注意：实训电路中CE的连接，当同时扩展多片ROM时，可采用译码法或线选法来分别选中芯片，每个芯片分配的地址范围不同。 举一反三——RAM的扩展 6264RAM的地址范围可与2764ROM的相同 因为不同的指令访问——将产生不同的控制信号 ROM：MOVC指令及取指令操作—— 有效， 、 无效 RAM：MOVX—— 无效， / 有效 MOVX A，@DPTR; 读操作，产生 低电平信号 MOVX @DPTR , A; 写操作，产生 低电平信号 试确定图中的EEPROM芯片2864是作为程序存储器 还是数据存储器使用？——看控制线 RAM扩展实例----在8051单片机上扩展2K RAM 80C51单片机系统地址空间结构图 本章小结 返回 ALE RD WR PSEN P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 P0.4 P0.5 P0.6 P0.7 89C51 P2.0 P2.1 P2.2 P2.3 P2.4 P2.5 P2.6 P2.7 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 OE LE D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 74LS373 DB AB CB A0 A12 CE OE VPP PGM ～ O0 O7 2764 ～ ～ ～ AB12 AB0 AB0 AB15 AB12 例2 用2764构成16K的存储系统，试将它们与8051进行连接。 A0