G变压器试验项目.docVIP

整体 主体 调压补偿 备注 直流电阻 HV：A-Am A-A0：（1.2.3…不同档位） MV：Am-A0：（1.2.3…不同档位） LV：a1-x LV：a-x HV：A-Am MV：Am-A01 LV：a1-x1 AO2AO：（1到9档位） a-x a-x2 x2-x 变比 HV/MV ：A-AO/Am-AO HV/LV ：A-AO/a1-x MV/LV ：Am-AO/a1-x H.V./M.V. H.V./L.V. M.V./L.V. a-x/AO2-AO：（1到9档位） a-x/a-x2：（1到9档位） a-x2/AO2-AO：（1和9两档位） AO2-AO/x2-x：（1和9两档位）（江苏只做一个档位） 本体绝缘电阻 H.V.＋M.V.～L.V.+G H.V.＋M.V.～L.V. L.V.～H.V.＋M.V.+G H.V.＋M.V.＋L.V.～G H.V.＋MV.～L.V.+G H.V.＋MV.～L.V. L.V.～H.V.＋MV.+G H.V.＋MV.＋LV.～G CL～G CC～G CL～CC AO2＋AO～a＋x2＋x＋G a＋x2＋x～AO2＋AO＋G AO2＋AO＋a＋x2＋x～G 调压变CC～CL＋G 调压变CL～CC＋G 调压变CL＋CC～G 补偿变CC～CL＋G 补偿变CL～CC＋G 补偿变CL＋CC～G 本体介损：绕组连同套管的介损值H.V.＋M.V.～L.V.+G L.V.～H.V.＋M.V.+G H.V.＋M.V.＋L.V.～G H.V.＋MV.～L.V.+G L.V.～H.V.＋MV.+G H.V.＋MV.～L.V H.V.＋MV.＋LV.～G AO2＋AO～a＋x2＋x＋G a＋x2＋x～AO2＋AO＋G AO2＋AO＋a＋x2＋x～G 套管绝缘电阻 不做 一次末屏a1 ； x 1；A 末屏a1 ； x 1；A 抽压～法兰：A 一次末屏末屏 套管电容介损 不做 一次末屏a1 ；x 1；A 末屏a1 ；x 1；A 抽压～地（正接）：A 一次末屏末屏 低电压短路阻抗 不做 Am-AO1/a1-x1 A-AO1/a1-x1 A-AO1/Am-AO1 补偿变：AO-AO3/x-x2 调压变：a-x2/AO-AO2 调压变，补偿变跟本体低压侧是怎么连接的？是x1和x2连接。而调压变a的末端是x还是x2？（如果是x,则表示x是调压变和补偿变的公共端） 6228 2703 6097 3417 829 第一：改进反接输出以及介损软件。要求本体介损用反接通道一进行测量，套管介损用反接通道二测量。进行不同的修正，最好把本体介损时候线的泄露电容修正进去或者稍微修改一下；以及在测量套管末屏对地反接介损时候要求套管一次侧接高压屏蔽，改内部继电器切换来实现。 电力智能车升级到1000KV变电站实现方案 本套设计方案是在兼容500KV及以下变压器一次性接线基础上设计的。 关于套管末屏反接法测量的实现方案: 1：针对目前不同检修公司在套管末屏介损试验过程中要求有两种，一种是要求套管的一次端接地，另一种是要求套管的一次端接介损仪器高压输出的屏蔽端。对于这两种要求，特别设计了反接测量双通道取样原理和防泄露电流屏蔽继电器结合。如下图： 双通道采集设计 防泄露电流屏蔽继电器 反接测量板设计为双通道模式，其中第一通道用来测量变压器的本体介损，第二通道用来测量变压器的套管末屏介损以及正常测量过程中的单体电容介损。双通道各做独立数据校验，保证出厂时候把线损及电容量校验在其中，提高抗干扰能力。 测量本体介损的时候，反接第一通道进行采集（T1继电器不动作），第二通道屏蔽输出（通过T2继电器动作来实现），防泄露电流屏蔽继电器K1动作，其他防泄露电流屏蔽继电器不动作。介损正接通道通过正接采样板内部切换到大地，达到末屏引出线接地目的。 测量套管末屏反接介损的时候（施加电压限制在2.5KV 以内），反接第一通道屏蔽输出（通过T1继电器动作来实现），第二通道进行采集（T2继电器不动作），防泄露电流屏蔽继电器K1不动作，防泄露电流屏蔽继电器K2不动作，防泄露电流屏蔽继电器K3动作。 接线设计，为实现1000kV变压器的主体、调压变、补偿变一次性接线，同时也要满足500KV以下的变压器一次性接线，面板设计有高压侧（HVA\HVB\HVC\HVO）、中压侧（MVA\MVB\MVC\MVO）、低压侧（LVa\LVb\LVc\LVo）、平衡绕组侧（PVa\PVb\PVc\PVo）。在1000KV的变压器接线时候用面板HVA接主体的A，面板HVB接主体的Am，面板HVO接主体的AO1，面板MVA接补偿变的AO3，面板MVC接调压变的AO2，面板MVO接调压变补偿变的AO，面板LVa接主体的a1，面板LVo接主体的x1，面板