2016 高级微电子技术复习提纲.docVIP

高级微电子技术复习提纲 2014 请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文：BJT、HBT、BiCMOS、VDMOS、IGBT、ESD、EEPROM、Flash、CPLD、FPGA、LUT、IP、SoC。 + FINFET TMOS RMOS ALD 试述AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理; 试说明为什么AGC BJT的工作频率范围受限。 答：大注入基区扩展 ；因为基区增大，BJT的工作频率 为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 答：消除了密勒效应 ，栅上损耗小（耐熔金属栅） 为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现源漏自对准的目的是什么？ 试用“深掏滩，低垒堰”的思想说明“在IC中利用密勒效应来获得大电容”的发明的聪明之处。IC中利用密勒效应来获得大电容的目的是什么？ 试举4个以上例子说明：在模拟IC或模拟电路中，电容通常所起的作用。 试说明如何仅用一张光刻版制作BJT和MOSFET？ 为什么说“BJT的开启电压固定，MOS的开启电压难于精确控制”？ 在相同工艺水平条件下，例如同为1um工艺，BJT与CMOS 相比较，BJT的工作频率更高, 其原因是什么？由此, 能否说明“少子器件不一定比多子器件慢”？ 试说明ECL电路速度快，但功耗大的原因。 BJT频率特性的提高受到什么因素限制？为什么HBT可以解决此问题？ 试画出npn BJT、宽禁带发射区npn HBT的能带图和窄禁带发射区npn HBT的能带图。 为什么宽禁带发射区HBT能够改善BJT的噪音特性？ 由于宽禁带发射区HBT具有良好噪音特性，它常被用作电子系统的前置放大。试说明“前置放大级噪音特性决定了整个电子系统的噪音特性”。 什么叫BiCMOS，它与CMOS相比有何优缺点？ 什么叫IGBT它与功率MOS相比有何优缺点？ 画出IGBT等效电路图。 为什么IGBT中的BJT的基区较宽。 IGBT导通电阻小的器件物理本质是什么？ 试画出IGBT和BiCMOS倒相器的等效电路图，并对IGBT和BiCMOS的工作原理作比较分析。 试说明闭锁效应在CMOS、BiCMOS、IGBT中的危害和在可控硅中的好处。 证明闭锁条件αnpn+αpnp=1，并等价于βnpn*βpnp=1。 试说明热载流子效应在微电子器件中的危害，及其在EEPROM和Flash存储器中应用的原理。 结合本课程所学知识说明：微电子器件物理的效应其实都尤如都江堰中的水--既可发洪水，也可养育川西平原，即所谓“水可载舟，亦可覆舟”。 试用“深掏滩，低垒堰”的思想，分析本课程介绍的微电子器件和IC的发明的思路。 集成电路封装的目的。 列举先进集成电路封装技术。 试述Flip Chip封装技术主要工艺流程。 什么是3D TSV技术？ 试述先进集成电路封装技术对封装材料、设备、工艺的挑战，以及先进封装技术对集成电路设计带来的影响。 可靠性与可信赖有什么区别？ 集成电路的生产流程是怎样的？ IDM模式与Fabless+Foundry的模式各有什么优劣？ 如何评估一个商用工艺线的可靠性？ 如何在加法器中放入一个特洛伊晶体管，使得加法器工作到某一位时发生故障？ 什么是EPIC？ 试述光集成电路的优势及技术难点。 试述集成电路分类及技术标准。 补： 根据本课讲授BJT的大注入效应被用到哪些器件与IC 答：IJBT、ESD保护，IC可控硅 热电阻效应用在哪些存储器和IC？ 答：eprom flash , eeprom, cpld(ic) 用哪些方法可削弱和消除寄生BJT的作用 答：1、 衬底与源极接地 2、源极用GeSi 肖特基替代PN结4、横向mos发射结短路 阳极短路