第五章-集成电路工艺原理解读.pptVIP

* 2 反应离子刻蚀时，硅片放在反应室内的功率电极上，且两个电极的面积不等； 平板型反应离子刻蚀系统俯视和侧面图 * 六角型反应离子刻蚀系统俯视和侧面图 * 等离子体刻蚀时反应室的压力在13－133Pa；反应离子刻蚀时反应室的压力在0.13－13Pa； 反应离子刻蚀系统的特点： 产生的等离子体的平均自由程大大提高； 增大了从等离子体到功率电极(阴极)的电压差和离子撞击能量； —— 提高了刻蚀速率，获得了各向异性刻蚀的功能，成为一种同时具备有高选择性和各向异性刻蚀双重优点的刻蚀技术 * 三 气体等离子体的产生过程及其腐蚀作用 等离子体刻蚀装置通常采用13.56MHz的射频电源，以电容或电感耦合方式放电； 在放电过程中，除了形成电子与离子之外，还可产生激发态的分子、原子及各种原子团，这些东西统称为游离基。游离基具有高度的化学活性，正是它们与被腐蚀材料的表面发生化学反应形成挥发性的产物，使材料不断被腐蚀； * 例如，CF4是相当惰性的气体，它不与硅反应，但当放电时， CF4中的一种产物F（氟游离基），它与硅反应形成挥发性的SiF4,, 所以常常用它来腐蚀硅； 例如，O2在室温下不显著侵蚀光刻胶，但原子氧的产生迅速地转变胶为CO，CO2和H2O的附产物, 所以常常用它来腐蚀光刻胶； * 四 常用材料的等离子刻蚀原理与工艺 1 硅、多晶硅、Si3N4和SiO2的等离子刻蚀 一般用CF4、SF6等氟基化合物作为腐蚀气体； 在放电过程中CF4介离成F*和CF3、CF2和CF等，游离基F*的化学活性最高，很容易与硅、多晶硅、Si3N4和SiO2等物质发生化学反应，其反应过程为： CF4→CF3+F* ；CF3→CF2+F* ；CF2→CF+F* ； Si+4F*→SiF4↑； SiO2+4F*→SiF4↑+O2↑； Si3N4+12F*→3SiF4↑+2N2↑； * 2 Si/SiO2的刻蚀选择比 实验发现，调整CF4等离子体对Si/SiO2的选择比的方法，主要是控制等离子气体的组成； Si和SiO2的刻蚀速率随CF4 中加入的O2含量的变化 (1) CF4+O2刻蚀 由图可见，CF4+O2 等离子体对SiO2和Si的刻蚀速率均增加，尤其对Si的刻蚀速率增加更迅速；但当氧气含量高于一定比例之后，则腐蚀速率下降； * 机理：除了氧可以抑止F原子在反应器壁上的损耗外，并能作为一种反应剂形成激活态的氟氧活性剂： 式中，COF* 寿命较长，当它运动到硅片表面时发生如下反应： COF*→F*+CO 4F*+Si→SiF4 则在反应过程中，生成的含氧化合物将消耗许多等离子体中的C原子，使得CF4等离子体内的F原子数对C原子数的比例上升，导致刻蚀速率的增大； 当氧含量太高之后，CF4的相对浓度变低，则导致刻蚀速率的下降； CF4+O2→F*+COF*+O*+CO+CO2+ * (2) CF4+H2刻蚀 CF4等离子体中加入少量的H2，发现对于Si和SiO2的刻蚀效果与CF4中加入少量O2的效果正好相反；使SiO2的刻蚀速率比Si大得多，由此得到比较好的选择比； Si/SiO2选择比与CF4+H2 组分的关系 机理： H2 + 2F = 2HF 导致氟原子浓度的降低，使得CF4+H2等离子体对SiO2与Si的刻蚀速率递减，选择比提高； * 氢气浓度对光刻胶、SiO2和多晶硅刻蚀速率的影响 * (3)不同C/F比气体对SiO2/Si选择比的影响 机理：当F原子对SiO2进行刻蚀时， SiO2内的Si原子将被生成SiF4气体，而氧原子将被释出。由此使得F原子的浓度受刻蚀反应消耗的影响较小，不易在其表面生成碳氟化合物；相反Si的表面则因为没有氧原子的补充，F/C相对较低，所以，在Si表面会有碳氟聚合物产生，并覆盖在Si表面，这就阻止了Si被进一步刻蚀，因此有助于提高SiO2对Si的选择比； * 3 铝的刻蚀 (1) 通常采用氯化物作为腐蚀剂。常用的氯化物气体有CCl4、CHCl3、BCl3、PCl3和SiCl4及其混合的气体等；有时还在其中加一定量的Cl2； (2) 刻蚀铝之前，必须首先去除自然氧化层： 工作气体中掺入Ar，在强电场作用下，以溅射和腐蚀相结合的方式进行刻蚀； 以BCl3蒸气作工作气体，利用辉光放电时产生的BCl2*和Cl*离子,BCl2*腐蚀Al2O3生成挥发性的氯氧化合物；Cl*与Al反应生成挥发性的AlCl3； * (3)沾污对铝刻蚀的影响 水汽和O2的沾污 水汽和O2存在容易与铝表面反应生成Al2O3。造成一边刻蚀一边生成Al2O3，从而使刻蚀Al2O3的时间加长而且无法控