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第4 章 光伏探测器 4.0 本章知识要点 1.光伏探测器的工作原理及特性： 温度特性、信噪比、光谱特性、响应时间、频率特性 2.几种光伏器件的基本结构及基本特性： 硅光电池、硅光电二极管、硅光电三极管、PIN 光电二极管、雪崩光电二极管、紫 外光电二极管、红外光电二极管 3.几种光伏探测器组合器件的结构原理： 半导体色敏感器件、阵列式光电器件、象限式光电器件、光电位置探测器、光电耦 合器 4.光伏探测器偏置电路的特征及分类： 自偏置电路、零伏偏置电路、反向偏置电路 第4 章 光伏探测器 4.1 光伏探测器的工作原理及特性 4.1.1 光伏探测器的工作原理 1.光伏探测器的定义 光伏探测器 利用半导体的光伏效应制成的器件，简称PV （Photovoltaic ）探测器。 2.光照下的PN 结电流方程 当光伏探测器受光照时，流经PN结外电路的总电流为暗电流与光电流之差，用下式表 示为： I I eeU / kT =−1 −I I −I （4-1 ） 0 ( ) p d p 3.光伏探测器的工作模式： 光电导模式——PN 结外加反向偏压，如光电二极管大多工作于此模式。 光伏模式——PN结无外加偏压，也称为自偏压，如光电池工作于此模式。 光伏效应 PN结受到光照时，可在PN结的两端产生电势差，这种现象则称为光伏效应。 暗电流 无光照时流过PN结的电流，I d I 0 (eeU / kT =−1 。) 光电流 光照下流过PN结的电流，用Ip ＝SE表示。 第4 章 光伏探测器 4.1 光伏探测器的工作原理及特性 4.1.2 光伏探测器的基本特性和主要参数 1.伏安特性 光伏探测器在不同照度下的伏安特性曲线 如图4-1 所示。 第三象限曲线：工作在光电导模式的光 伏探测器的伏安特性。 第四象限曲线：工作在光伏模式的光伏 探测器的伏安特性。 由光伏探测器的伏安特性得到其等效电 路，如图4-2(a)所示。光伏探测器等效于一个电 流源（光电流）Ip和一个普通二极管的并联。普 通二极管包括暗电流I 、结电阻R 、结电容C 及 图4-1 光照下的PN 结伏安特性 d sh j 串联电阻R 。一般，R 很大且R 极小，忽略二 s sh s 者的影响，光伏探测器的等效电路可简化为图4-2 (b)所示。 图4-2 光伏探测器等效电路 2.开路电压U 和短路电流I oc sc 开路电压 在开路(R →∞)情况下，工作在光伏模式的探测器两端的电压，即 L kT Uoc ln （Ip / I0 +1 ） （4-4 ） e 短路电流 在短路（R =0 ）情况下，流过工作在光伏模式的探测器的电流，即 L I sc −I p =−S ⋅E （4-6 ） I 和U 是描述光电池性能的两个重要参数。 sc oc 3.暗电流和温度特性 硅光电二极管暗电流的温度特性曲线如图 4-3 所 示。常温条件下，一般硅光电二极管的暗电流约100nA 数量级，硅PIN 光电二极管可小到1nA。 暗电流的影响： 弱光信号检测 增大散粒噪声