[理学]半导体物理与器件基础 上课用.pptVIP

第八章 pn结二极管 8.1 pn结电流 8.2 pn结的小信号模型 8.4 结击穿 第八章习题 第八章小结 8.1 PN结电流 8.1.1 PN结的偏置状态有：零偏、正偏和反偏 零偏：W不变，势垒高度eVbi一定，EF处处相等， 无电流通过。 正偏：W变窄，势垒高度为e(Vbi－Va)， EF不等， 有正向电流通过。 反偏：W变宽，势垒高度为e(Vbi＋VR)， EF不等， 有反向电流通过，但很小。 能带图的变化见后页或教材193页，图 8.1。 8.1.3 边界条件 （1）零偏时中性区平衡少子浓度分布 8.1.3 边界条件 （2）正偏时，中性区和势垒区交界处少子浓度分布 8.1.3 边界条件 （3）反偏时，中性区和势垒区交界处少子浓度分布 例题 8.1 8.1.4 少子浓度分布 中性区内过剩少子浓度分布（推导过程:第三个例题） 8.1.5 理想PN结电流 根据半导体物理课程知道，少子浓度梯度是产生扩散电流的原因，所以，根据扩散电流密度方程 8.1.5 理想PN结电流 分别求出 空穴电流密度： 8.1.5 理想PN结电流 例题 8.3 8.2 PN结的交流小信号模型 前面我们讨论的是PN结二极管的直流特性。当它用于线性放大电路时，会有交流信号叠加在直流信号上，那么二极管在交流信号下的特性又是怎样的？ 8.2.1 扩散电阻 如果在直流正偏电压上叠加一个正弦电压，则二极管正向特性可以等效成一个扩散电阻。 8.2.2 扩散电容 势垒电容与扩散电容的比较 8.2.3 等效电路 (a)图为理想正偏PN结小信号等效电路 8.4 PN结的击穿 定义：当PN结在特定的反偏电压下，反偏电流快速增大，称为击穿，此时的电压称为击穿电压。 本章小结 偏置下pn结中的各种电流成分 少子浓度的边界条件 偏置下少子浓度的分布 二极管理想I-V关系 扩散电阻和扩散电容的形成 pn结的击穿机制 本章计算: 少子形成的扩散电流密度, 反向饱和电流密度, 扩散电阻, 扩散电容, 二极管的小信号导纳 第十章 双极晶体管 10.1 双极晶体管的工作原理 10.2 少子的分布 10.3 低频共基极电流增益 10.4 非理想效应 10.5 等效电路模型 10.6 频率上限 第十章习题 第十章小结 10.1 双极晶体管的工作原理 BJT的基本结构 晶体管最常见的结构有平面型和合金型两种。平面型都是硅管、合金型主要是锗管。它们都具有NPN或PNP的三层两结的结构，因而又有NPN和PNP两类晶体管。 10.1 双极晶体管的工作原理 NPN管四种工作模式 正向放大、饱和、截止、倒向放大 10.1 双极晶体管的工作原理 正向有源模式下端电流的构成 10.2.1 正向有源模式 共射组态边界处少子浓度分布情况 10.2.1 正向有源模式 少子分布图的得出 10.2.2 其他工作模式 其他工作模式下的 少子浓度分布情况 以NPN为例。 10.3 电流增益 中间参量 10.3.1 中间参量 中间参量g (以NPN为例) 10.3.1 中间参量 中间参量aT 10.3.1 中间参量 中间参量d 10.3.1 中间参量 g、αT 与α的关系 10.3.2 电流增益数学表达式 电流增益与晶体管结构和材料有什么关系？ 10.3.2 电流增益数学表达式 10.3.2 电流增益数学表达式 电流增益的数学表达式可以写为 10.4.1 基区宽度调制效应 在共发射极电路正向有源模式下，对于给定的基极电流，集电极电流应当与集电极电压无关。输出特性曲线斜率应为零。 但图中的电流却随集电极电压的增加而增加。这种现象起因于晶体管的基区宽度调变效应，也称为Early效应。 10.4.2 基区大注入效应 大注入时有两种效应： 1. 发射极注入效率降低 （以NPN为例） 10.4.2 基区大注入效应 大注入效应的表现 10.4.3 发射区禁带变窄 现象：随着发射区相对于基区的掺杂浓度比值的增加，发射区禁带宽度会变窄。 10.4.4 基区扩展电阻和电流集边效应 基区扩展电阻 从图中看出IB在发射区下方与结面几乎平行,基区体现出的电阻,称为基区扩展电阻,记为 rbb’ 。 10.4.4 基区扩展电阻和电流集边效应 电流集边效应的后果 10.4.6 击穿电压 BJT击穿有两种机制：穿通击穿和雪崩击穿。 10.4.6 击穿电压—穿通击穿 穿通击穿的能带图 10.4.6 击穿电压—穿通击穿 穿通机制：