[工学]第5章_存储器系统.ppt

第5章 节 目 录 5.1 概述 5.2 随机存取存储器RAM 5.3 只读存储器 5.4 高速缓冲存储器 2、部分地址译码方式：高位地址线的一部分参加译码。 A18、A16未参加译码，因此A18、A16为任何值都可以。 图5-10 6264的部分地址译码连接图 8088系统 BUS CS2 OE D0~D7 A0 A12 MEMR MEMW D0~D7 SRAM6264 A0 A12 WE +5V CS1 A19 A17 A15 A14 A13 X X X X A12 ? ? ? ? ? ? A0 1 X 1 X 1 1 1 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 四个地址范围指向同一 个存储器空间 部分地址译码的特点：电路简单，但地址重复严重， 占用地址范围多，适用于存储器芯片较少的场合。 AE000H~AFFFFH BE000H~BFFFFH EE000H~EFFFFH FE000H~FFFFFH CS1 A19 A17 A15 A14 A13 例题1：使用SRAM6116芯片，设计4KB的RAM存储器系统，其地址为78000H---78FFFH。 6116存储容量为2KB*8， 4KB存储器因此需要2片6116。 SRAM6116 MEMR D0~D7 A0 A10 MEMW D0~D7 A0 A10 MEMW MEMR D0~D7 A0 OE A10 R/W CS D0~D7 A0 OE A10 CS R/W SRAM6116 MEMR D0~D7 A0 A10 MEMW D0~D7 A0 A10 MEMW MEMR D0~D7 A0 OE A10 R/W CS D0~D7 A0 OE A10 CS R/W A19 A18 A17 A16 A15 A14 A12 B A G2B G1 G2A C ≥1 Y0 Y1 LS138 A13 A11 X X X A10 ? ? ? A0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12A11 Y0： 0 1 1 1 1 0 0 0 1 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12A11 Y1： 78000H ? 787FFH X X X A10 ? ? ? A0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12A11 78800H ? 78FFFH 0 1 1 1 1 0 0 0 0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12A11 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A12 B A G2B G1 G2A C ≥1 Y0 Y1 LS138 A13 A11 例题2：使用SRAM8256芯片，设计1MB的RAM存储器系统，其地址为00000H---FFFFFH。 8256存储容量为256KB*8， 1MB存储器因此需要4片8256。 四片存储器的空 间分别为： 00：00000H—3FFFFH 01：40000H—7FFFFH 10：80000H—BFFFFH 11：C0000H—FFFFFH A19 A18 XX XXXX XXXX XXXX A19A18 图5-14 8256连接应用图 MSM8256 CS D0~D7 A0 A17 MEMW MEMR D0~D7 A0 A10 OE R/W CS MEMR MSM8256 CS D0~D7 A0 A10 OE R/W CS D0~D7 A0 A17 MEMW MSM8256 A19 A18 B A G2B G1 G2A C Y0 LS138 Y2 Y3 Y1 常用的SRAM有6116（2K*8）、6264（8K*8）、 628128（16K*8）、62256（32K*8）等。 上述存储器容量不同，芯片管脚数可能不同。 但主要区别在地址线的数目不同，其他控制信 号一样。 三、动态随机存储器 动态随机存储器集成度高、价格低，应用于微 机内存条等场合。 2164为64K*1的DRAM芯片 A0 – A7：8条地址输入线。 将地址分两次输入到芯片中，分别称为行地址和列地址。分别锁存在行地址和列地址锁存寄存器中。 RAS：行地址锁存信号 CAS：列地址锁存信号 DIN、DOUT：