模拟电子技术 第二章 半导体器件基础.ppt

附录 1.与双极型三极管相同 第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表绝缘栅型场效应管。 第二位字母代表材料，D是P型硅N沟 道；C是N型硅P沟道。 例如3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。 例如CS14A、CS45G等。 场效应三极管的型号现行有两种命名方法： 2.第二种命名方法是CS××#： 小 结 1. 场效应管种类很多，主要有结型和绝缘栅场效应管。 结型有N沟道和P沟道两种， 栅源必须加反偏压才能工作，如N沟道在UGS0下工作， P沟道在UGS0下工作。 绝缘栅场效应管有N沟道增强型、 N沟道耗尽型、 P沟道增强型、P沟道耗尽型四种类型。增强型不存在原始导电沟道，UGS只在单一极性或正或负工作；而耗尽型存在原始沟道，UGS可正可负。 2. 场效应管是单极型电压控制器件，具有输入电阻高，一 般可达109?。 填空： 1.场效应管是_______控制器件，而双极型三极管是_______控制器件。绝缘栅型场效应管输入电阻很大，是因为____________的原因。 答：电压，电流，栅极绝缘。 选择填空： 1.下图所示的特性属于那种管型？（ ）。 A.MOS增强型N沟道;MOS耗尽型P沟道；JFET N沟道 B. JFET N沟道; MOS增强型P沟道; MOS耗尽型N沟道； C. MOS耗尽型P沟道; MOS增强型N沟道; JFET N沟道. D. MOS耗尽型P沟道; JFET P沟道;MOS增强型N沟道 C 第二章结束 * * * * * 一、场效应管概述 根据结构场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管 场效应管（Field Effect Transistor，FET）：是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是以输入电压控制输出电流的的半导体器件。也称为单极型晶体管。 结型场效应管：Junction Field Effect Transistor, JFET MOS型场效应管：Metal Oxide Semiconductor FET,MOSFET 根据载流子场效应管的分类 N沟道FET：电子作为载流子 P沟道FET：空穴作为载流子 一、场效应管概述(续） 场效应管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单极型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效应管的输入电阻高，可达109~1014?。 4.其他：FET体积小、重量轻、寿命长、热稳定、更便于集成、易受静电影响。 MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 MOS场效应管分类 二、MOS场效应管 ? N沟道增强型MOS场效应管结构 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 1.增强型MOS场效应管 栅极G→基极B 源极S→发射极E 漏极D→集电极C (1)当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加上电压不会在D、S间形成电流ID,即ID≈0. (2)当0UGSUGS,th时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 (3)当UGS=UGS,th时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在UDS的作用下形成ID。 (4)当UGSUGS,th时, 导电沟道逐渐加厚， 沟道电阻减少，在相同UDS的作用下，ID将进一步增加。 ? N沟道增强型MOS场效应管工作原理 UDS ID + + - - + + - - + + + + - - - - UGS 反型层 说明：开始无导电沟道，当在UGS?UGS,th时才形成沟道, 这种类型的管子称为增强型MOS管。 栅极G→基极B 源极S→发射极E 漏极D→集电极C ? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOS管 定义：UDS一定时，UGS对漏极电流ID的控制关系曲线 ID=f(UGS)?UDS=C 转移特性曲线 UDSUGS-UT UGS(V) ID(mA) UGS,th 在恒流区，ID与UGS的关系为 ID≈K(UGS-UGS,th)2 K为导电因子。 UGS,th称为开启电压或阈值电压。 ID≈K(UGS-UGS,th)2（1+?UDS) 其中： K—导电因子（mA/V2) ?—沟道调制长