[PPT模板]材料科学与工程课件.ppt

  1. 1、本文档共47页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
[PPT模板]材料科学与工程课件

上节重点 冷变形 热处理 5.3 回复和再结晶 1、回复动力学 (1)没有孕育期; (2)在一定温度下,初期的性能回复速率很大,随时间延长,回复程度减弱,直到最后回复速率为零; (3)在每一温度下,只能达到一定的回复程度; (4)退火温度越高,回复程度越大,残留硬化越小,回复速率越快; (5)预变形量越大,原始晶粒越细,起始回复速率越快。 2、回复机制 冷变形后的金属加热到一定温度后,在原来的变形组织中产生新的无畸变晶粒,而且性能恢复到变形以前的完全软化状态,这个过程称为再结晶。 其驱动力为经回复后未被释放的储存能。 再结晶恒温动力学曲线  (1)不同温度和不同变形度,曲线不同,但都具有S形特征,存在孕育期。 (2)再结晶速率开始时很小,然后逐渐加快,再结晶体积分数约为50%时,速度达到最大值,随后逐渐减慢。 (3)温度越高,转变曲线左移,转变速度加快。 (4)恒定温度下,若测定不同冷变形程度的再结晶速度,也得到相似的曲线。 Johnson和 Mehl首先推导了均匀形核条件下的再结晶速度 由于再结晶温度可以在一定温度范围内进行,通常把冷变形金属开始再结晶的最低温度定义为再结晶温度,可以用金相法或硬度法测定,即出现第一颗晶粒或硬度下降50%所对应的温度。 工业生产中,通常定义为经过大变形量(ε70%) 的冷变形金属1小时内完成再结晶体积95%的最低温度。 引用再结晶温度时,必须注意它的具体条件。 对于工业纯金属,起始再结晶温度与熔点之间存在下列关系: a.变形程度 c.微量溶质原子或杂质   微量溶质原子或杂质通过柯氏气团的形式对位错的迁动形成阻碍,会提高金属的再结晶温度,降低再结晶速度。 第二相可能促进、也可能阻碍再结晶,主要取决于基体上第二相粒子的大小及其分布。 由于再结晶的形核率和长大速率都随着温度的升高而增大,故升高退火温度,再结晶速度加快。 (3)加热时间 在一定范围内延长加热时间会降低再结晶温度   保温时间一定的情况下,将变形程度、退火温度与再结晶后晶粒大小的关系表示在一个立体图上,就构成了“再结晶全图”。 小 结 回复 是一个驰豫过程 主要用于去应力退火,低温\中温\高温 再结晶 是一个形核长大的过程 形核机制 长大驱动力 动力学特征:形核率N和长大速率G 变形量对再结晶开始温度、速度及晶粒度的影响 此方程结果与实验结果完全吻合,且发现在一定温度范围内,K不随T而变。 不同温度下,各直线基本平行 (K相同),B则随T改变。 再结晶激活能Q 一定温度下,再结晶速率可以用阿累尼乌斯公式表示 同时与产生某一体积分数φR所需要的时间 t 成反比, 做lnt~1/T图,即可求出斜率Q/R 若在不同温度进行再结晶处理,要达到相同再结晶体积分数所需要的时间 再结晶激活能是一定值,与回复激活能随回复程度而改变有所不同。 3、再结晶温度及其影响因素 T再 不是材料的物理常数,随成分、晶粒度、冷变形度、退火工艺而改变。 T再=(0.35-0.4)T熔 再结晶(开始温度、速度)的影响因素 随冷变形程度的增加,储存能增加,再结晶的驱动力增大,故再结晶温度降低,当变形量增加到一定程度(50%~60%),趋于一稳定值 在给定温度下再结晶需要有一个最小变形量,低于此变形量,不能发生再结晶。 —— 要求具有临界最小变形量 凡是影响形核率N和长大速度G的因素,都会影响再结晶。 变形量越大,T再下降 Cd 原子半径为1.52 ? 305 ℃ 光谱纯铜加入0.01%Cd Ag的原子半径为1.44 ? 205 ℃ 光谱纯铜加入0.01%Ag Cu的原子半径为1.28? 140 ℃ 光谱纯铜 备 注 50%再结晶的温度 材 料 b.原始晶粒尺寸 原始晶粒越细,变形抗力越大,储存能越大,同时,细晶提供的有利形核点多,再结晶温度降低,再结晶速度加快,再结晶后的晶粒尺寸更小。 d.第二相粒子 设粒子间距为λ ,粒子直径为d: λ≥1μm,d≥0.3μm,当第二相颗粒较粗时,可以成为再结晶的核心,变形时位错绕过颗粒,并在颗粒周围留下位错环,或塞积在颗粒附近,从而造成颗粒周围畸变严重,促进再结晶,降低再结晶温度,提高再结晶速度; λ1μm,d≤0.3μm,当第二相颗粒细小、分布均匀时,不会使位错发生明显聚集,对再结晶形核作用不大,反而对再结晶晶核长大过程中的位错运动和晶界迁移起到阻碍作用,抑制形

文档评论(0)

jiupshaieuk12 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:6212135231000003

1亿VIP精品文档

相关文档