[信息与通信]集成光电子器件lpl第二章1.pptVIP

自发发射和受激发射的特点 自发发射的同时总伴有受激发射发生； 在热平衡情况下，自发发射占绝对优势； 当外界给系统提供能量时，如采用光照（即光泵）或电流注入（即电泵），打破热平衡状态，大量粒子处于高能级，即粒子数反转后，在发光束方向上的受激发射比自发发射的强度大几个数量级。 当外界给系统提供能量时，如采用光照（即光泵）或电流注入（即电泵），打破热平衡状态，大量粒子处于高能级，就实现了粒子数的反转分布。 这样，当外界入射光入射时，就会发生受激辐射，产生大量全同光子，实现对入射光的放大作用。 我们把处于粒子数反转分布的物质称为激活物质或增益物质。 2.2. 2 发光二极管的结构 在光纤通信系统中，发光二极管只用面发光二极管和边发光二极管两种。 发射波长为： GaAs的Ｅｇ＝１.４３５ｅＶ，　用它做0.8５μm波长的红 　外ＬＥＤ ； InGaAsP的Ｅｇ＝０.７５～１.３５ｅＶ，　用它做1.3μm 　和1.55 μm波长的ＬＥＤ。 在衬底材料正对有源区的地方腐蚀出一个凹陷的区域，使光纤可以与发射面靠近，同时，在凹陷的区域注入环氧树脂，并在光纤末端放置透镜或形成球透镜，以提高光纤的接收效率。 1）面发光二极管 其发射面积限定在一个小区域内，横向尺寸与光纤尺寸相近。 SLED的光辐射分布 面发光二极管输出的功率较大，注入电流100mA时，可输出几毫瓦； 但光发散角大，水平和垂直发散角都可达到120°，与光纤的耦合效率低。 利用SiO2掩模技术，在P面形成垂直于端面的条形接触电 极（约40~50μm），从而限定了有源区的宽度； 有源区一端镀高反射膜，另一端镀增透膜，以实现单向 出光。 在垂直于结平面方向，发散角约为30°，具有比面发光 二极管高的输出耦合效率。 2）边发光二极管 ELED的结构 2.2.３ 发光二极管的工作特性 1）P－I特性 指输出的光功率随注入电流的变化关系。 当注入电流较小时，线性 度非常好；但当注入电流 比较大时，由于PN结的发 热，发光效率降低，出现 了饱和现象。 在同样的注入电流下，面 发光二极管的输出功率要 比边发光二极管大2.5~3 倍，这是由于边发光二极 管受到更多的吸收和界面 复合的影响。 在通常应用条件下， I=50~150mA， P为几个毫瓦， 入纤功率要小得多。 当温度升高时，同一 电流下的发射功率要 降低。 发光二极管的温度特 性相对较好，在实际 应用中，一般可以不 加温度控制。 LED的输出特性 2）光谱特性 光源的线宽（ Δλ ）： 光强下降一半的波长变化为 输出谱线宽度。 发光二极管发光谱线较宽， 对GaAlAs/GaAs发光二极管， Δλ =25~40nm， 对InGaAsP/InP发光二极管， Δλ =75~100nm。 光源线宽 LED的谱线宽度与掺杂浓度的关系： 线宽随有源区掺杂浓度的增加而增加。 面发光二极管一般是重掺杂，而边发光二极管为轻掺杂，因此面发光二极管的线宽就较宽。 重掺杂时，发射波长还向长波长方向移动。 LED的谱线特性 LED的谱线宽度与温度的关系： LED的谱线特性 温度的升高会使线宽加宽。 3）调制特性 根据P―I特性可以看出，改变发光二极管的注入电流就可以改变其输出光功率，从而实现光调制。 LED的(a)数字调制及( b)模拟调制 这种直接改变光源注入电流实现调制的方式称为直接调制或内调制。 需要注意的是，在模拟调制中，首先要给发光二极管直流偏置，以防止当信号为负时，可能会因反偏而造成损坏。 显然，对于模拟调制P―I关系的非线性会使调制信号产生失真，在需要的情况下，可以利用线性补偿电路来进行改善。 光源非线性谐波的产生 调制带宽是LED调制特性的一个重要参量。 设LED受频率ω的信号调制，输出功率为： 其中：P(0)为直流(ω=0)时的光输出，τ为LED及驱动电路 的时间常数。 当ω＝1/τ时，P(ω)=0.707P(0)。 在接收机中，检测电流正比与光功率，光功率下降到0.707（-1.5dB)时，接收电功率下降到(0.707)2=0.5,即-3dB。 因此，1/ τ就是LED的3dB调制带宽或3dB电带宽。 当ω＝1/τ时，P(ω)=0.707P(0)。 在接收机中，检测电流