[工学]MOS器件和电路仿真.pdf

MOS工艺中的器件和 电路仿真 2009-9-27 清华大学微纳电子系 1 本讲内容 电路仿真简介 模型文件简介 仿真软件简介 2009-9-27 清华大学微纳电子系 2 电路仿真简介 2009-9-27 清华大学微纳电子系 3 仿真软件出现的原因 物理实验的方法 电路制造 参数调整 性能测试 软件模拟的方法 无法进行硬件实验 无法依靠手算结果 降低成本，缩短时间，提高成功率 2009-9-27 清华大学微纳电子系 4 仿真3要素 设计目标和性能要求 工艺条件 电路拓扑结构 模型参数 仿真器 电路设计结果 2009-9-27 清华大学微纳电子系 5 人工设计和电路仿真的关系 人工设计 主导作用 电路仿真 电路设计的辅助工具 数学上的验证工具 关系 人工设计—仿真验证 2009-9-27 清华大学微纳电子系 6 模型文件简介 2009-9-27 清华大学微纳电子系 7 MOS管的常见模型 Level1模型： 是最早的MOS管模型，也叫Shichman-Hodges模型 BSIM模型： Berkeley提出的短沟道绝缘栅场效应管模型 Berkeley Short-channel IGFET Model Hspice模型： 包含多个MOS管模型，统一编号为Level x 参考：hspice_mosmod.pdf 2009-9-27 清华大学微纳电子系 8 1 Schichman-Hodges model 2 MOS2 Grove-Frohman model (SPICE 2G) 3 MOS3 empirical model (SPICE 2G) 4 Grove-Frohman: LEVEL 2 model derived from SPICE 2E.3 8 advanced LEVEL 2 model 13 BSIM model 15 user-defined model based on LEVEL 3 28 BSIM derivative; Avant! proprietary model 39 BSIM2 47 BSIM3 Version 2.0 49 BSIM3 Version 3 (Enhanced) 50 Philips MOS9 53